意法半導體的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。
意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確保總體損耗降至zui低，在20kHz開關頻率下更地工作。
此外， 新款1200V IGBT提供集成高速恢復反并聯二極管的選項，以助力開發人員優化硬開關電路的性能，使用續流二極管大幅降低開關電路的能源損耗。
新款IGBT的耐用性*，當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應，短路時間極短，僅5µs(在150°C 初始結溫時)。zui大工作結溫擴大到175°C，有助于延長產品的使用壽命，簡單化系統散熱設計。寬安全工作區(SOA，Safe Operating Area)提升大功率應用的工作可靠性。
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