由 于IGBT模塊MOSFET結構,IGBT網格通過一層氧化膜和發射器實現電氣隔離。由于氧化膜非常薄,其擊穿電壓一般20 ~ 30 v .因此引起的靜態電網故障的常見原因之一IGBT的失敗。因此使用應注意以下幾點:使用模塊時,不要觸摸驅動器終端部分,當必須觸摸模塊終端靜電對人體或 衣服大電阻接地放電后,再次觸摸;與導電材料模塊驅動程序終端連接,連接沒有連接之前請不要插入模塊;地板的條件下盡可能好的接地操作。有時,盡管在應用 程序以確保門驅動電壓不超過電網zui大額定電壓,但網格之間的寄生電感和電容耦合連接網格和收藏家,也會產生氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常由雙絞線傳輸 信號,以減少寄生電感。小電阻串聯在電網連接也可以抑制振蕩電壓。此外,在開放的柵極,如果電極間的電壓和收集器和發射,電極電位的變化,由于泄漏電流流 經收集器,更高的柵極電壓,電流流經收集器。此時,如果收藏家和發射電極的高電壓,它可以使IGBT發燒時損壞。IGBT的使用場合,當柵極電路正常或柵 極電路損壞(網格在開路狀態),如果在主電路和電壓,IGBT將受損,為了防止此類故障,應該是門和發射極之間串接一個10 kΩ阻力。安裝或更換IGBT模塊的時候,我們應該高度重視的接觸狀態IGBT模塊與散熱器和收緊。為了減少接觸熱阻,散熱器和IGBT模塊之間的*熱 導電硅膠。一般散熱器安裝在底部的冷卻風扇,當散熱器冷卻的冷卻風扇損壞壞熱將導致IGBT模塊,和失敗。定期檢查冷卻風扇,通常在附近的散熱器IGBT 模塊配備溫度傳感器,當溫度太高會報警或停止IGBT模塊的工作。

IGBT 模塊的電壓規格和設備的輸入電源或嘗試使用的電源電壓是密切相關的。請參閱下面的表之間的關系。時使用IGBT模塊集電極電流增加時,額定損失更大。增加 同時,開關損失,原來的發燒而加劇,因此,在選擇IGBT模塊額定電流應大于負載電流。特別是在高頻開關,使用時由于切換損失增加,發熱和選擇時應該減少 使用,等等。