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北京瑞田達(dá)代理產(chǎn)品:EUPEC IGBT,infineon IGBT,EUPEC IGBT模塊GB -DN2 (Standard): BSM50GB170DN2...

電容量0.01 – 4.7μF，額定電壓 600V、850V、1000V、1

FUJIIGBT模塊

PMB系列直接安裝型無感電容

西門康IGBT模塊600V、1200V、1700V IGBT模塊,SEMIKRON IGBT模塊,西門康IGBT模塊GB兩單元GD六單元GAL斬波GAR斬波

● 絕緣型，陰極陽極在模塊頂端● 標(biāo)準(zhǔn)封裝 ● 全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性，和功率循環(huán)能力

日本富士IGBT模塊/FUJI IGBT模塊 包括1MBI、2MBI、6MBI系列標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊；6MBP、7MBP系列智能IGBT模塊（IPM)，7MBR系...

SEMiX603GAR066HDs? by SEMIKRON Rev. 12 – 16.12.2009 1SEMiX®3sGARTrench IGBT ...

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三菱IGBT模塊/mitsubishi IGBT模塊 包括CM系列標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊、PM系列智能模塊，質(zhì)量優(yōu)良，*，廣泛應(yīng)用于變頻器、逆變焊機(jī)、開關(guān)電源等領(lǐng)域。...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的...

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