如何選擇適合自己應用場景的整流二極管模塊？2025/4/30

選擇適合自己應用場景的整流二極管模塊，需要考慮以下幾個關鍵因素：額定電壓工作電壓范圍：首先要明確應用場景中的輸入電壓范圍。整流二極管模塊的額定電壓應大于實際工作中可能出現的最大反向電壓，一般建議選擇額...

工業自動化領域：整流二極管模塊的關鍵角色2025/4/30

在工業自動化領域，整流二極管模塊猶如幕后的無名英雄，默默地發揮著關鍵作用，支撐著整個工業自動化系統的高效運行。隨著工業自動化程度的不斷提高，對電力供應的穩定性、高效性和精確性提出了更高的要求，而整流二...

聊聊IGBT驅動板2025/3/27

功能驅動與控制將控制系統的低電壓、低電流邏輯信號轉換為高電壓、高電流驅動信號，精確控制IGBT的導通與關斷。支持PWM脈沖調制，實現開關頻率可調，適應不同負載需求。電氣隔離隔離式驅動：采用光耦、磁隔離...

英飛凌二極管有哪些特點及應用2025/3/27

產品特點與技術優勢低電壓損耗與高效率Rapid1/2系列：采用低損耗垂直結構和優化單元設計，Rapid1系列正向電壓（VF）低至1.35V，顯著降低導通損耗；Rapid2系列專為40-100kHz高頻...

淺談ELECTRONICON電容的特點和應用2024/12/25

一、基本概念電容，全稱為電容器，是一種能夠儲存電荷的元件。它通常由兩個相互靠近但不接觸的導體(稱為極板)以及它們之間的絕緣介質組成。當兩個極板分別連接到電源的正負極時，極板上的電荷會開始積累，形成電場...

聊聊IGBT模塊2024/12/25

工作原理基于其半導體特性，即非通即斷的開關特性。在模塊內部，搭建起若干個IGBT芯片單元的并串聯結構。當直流電通過模塊時，通過不同開關組合的快速開斷，來改變電流的流出方向和頻率，從而輸出得到所需的交流...

可控硅模塊在使用中，有哪些注意事項2024/5/28

簡介：是一種半導體器件，具有控制正半周或負半周的導電特性，被廣泛應用于電子設備中。其基本原理是利用PNPN結的瞬時性質，通過控制晶體管的控制電壓，使其導通或者阻斷。優點1.高耐壓：可控硅模塊可以承受較...

ASC風電補償電容有哪些注意事項2024/5/28

原理：1.儲存電能：當系統中的電力需求低于發電機的輸出功率時，電容器可儲存多余的電能，以備系統需要時釋放。2.釋放電能：當系統中的電力需求超過發電機輸出功率時，電容器可以快速釋放儲存的電能，以彌補系統...

晶閘管并聯應用要點2024/5/16

我們知道所有并聯最終我們有個重要目的，就是流過并聯支路的電流盡量都是相等的，特別是在負溫度系數的功率器件中更為關鍵，比如二極管和晶閘管應用中。對于整流二極管并聯，為了使電流均勻分布，對于并聯的二極管盡...

聊聊西門子緩沖電阻2024/3/1

簡介：緩沖電阻是一種阻值較大的電阻器，主要用于電路中的過渡性連接，作為電路中與電源的接口。緩沖電阻具有較高的電阻值和精度，能夠提供穩定的電阻值，使電路能夠正常工作。作用：平衡電壓波動：變頻器控制系統的...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊適用于哪些地方2016/6/27

CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通...

IGBT模塊驅動及保護技術2016/4/29

1引言IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內...

IGBT模塊過流保護的兩種情況介紹2015/9/15

生產廠家對IGBT模塊提供的安全工作區有嚴格的限制條件，且IGBT模塊承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過流保護。產生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與...

可控硅與晶閘管的區別及發展應用2015/8/13

可控硅模塊屬于功率器件領域，是一種功率半導體開關元件，又叫做晶閘管，可控硅是簡稱。按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)和雙向可控硅(TRIAC)。可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導體...

IGBT模塊的散熱技術發展2015/4/15

IGBT模塊散熱技術散熱的過程1IGBT在結上發生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環節影響散熱程度影響因數解決辦法1總發...

簡單分析晶閘管損壞的原因2014/12/4

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上*晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極...

IGBT模塊的分類2014/10/9

研發進展IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在...

富士功率模塊選型簡介2014/7/16

富士功率模塊選型簡介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結構。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上，在小功率變頻器...

IGBT原理，作用，運用2013/10/31

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOS...