FP35R12KT4是英飛凌EconoDUAL™系列IGBT模塊,具有溝槽結構,并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層,這個附加層被稱為電場終止(fieldstop),這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小,加上 IGBT3 具有更高電流密度,它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃,運行溫度可達150℃。低損耗,FP35R12KT4 IGBT模塊具有低EMI噪聲,高可靠性,高運行結溫等優點。主要應用在100KW光伏逆變器,電機驅動,電源等領域。
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