1IGBT的工作原理IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：
　　
　　——IGBT柵極與發射極之間的電壓;
　　
　　——IGBT集電極與發射極之間的電壓;
　　
　　——流過IGBT集電極－發射極的電流;
　　
　　——IGBT的結溫。
　　
　　如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極－發射極之間的耐壓則IGBT可能*性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極－發射極之間的耐壓,流過IGBT集電極－發射極的電流超過集電極－發射極允許的zui大電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會*性損壞。
　　
　　2保護措施在進行電路設計時,應針對影響IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相應的保護措施。2．1IGBT柵極的保護IGBT的柵極－發射極驅動電壓VGE的保證值為±20V,如果在它的柵極與發射極之間加上超出保證值的電壓,則可能會損壞IGBT,因此,在IGBT的驅動電路中應當設置柵壓限幅電路。另外,若IGBT的柵極與發射極間開路,而在其集電極與發射極之間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于柵極與集電極和發射極之間寄生電容的存在,使得柵極電位升高,集電極－發射極有電流流過。這時若集電極和發射極間處于高壓狀態時,可能會使IGBT發熱甚至損壞。如果設備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開,在不被察覺的情況下給主電路加上電壓,則IGBT就可能會損壞。為防止此類情況發生,應在IGBT的柵極與發射極間并接一只幾十kΩ的電阻,此電阻應盡量靠近柵極與發射極。由于IGBT是功率MOSFET和PNP雙極晶體管的復合體,特別是其柵極為MOS結構,因此除了上述應有的保護之外,就像其他MOS結構器件一樣,IGBT對于靜電壓也是十分敏感的,故而對IGBT進行裝配焊接作業時也必須注意以下事項：——在需要用手接觸IGBT前,應先將人體上的靜電放電后再進行操作,并盡量不要接觸模塊的驅動端子部分,必須接觸時要保證此時人體上所帶的靜電已全部放掉;——在焊接作業時,為了防止靜電可能損壞IGBT,焊機一定要可靠地接地。IGBT在不間斷電源的應用.
　　
　　2．2集電極與發射極間的過壓保護過電壓的產生主要有兩種情況,一種是施加到IGBT集電極－發射極間的直流電壓過高,另一種為集電極－發射極上的浪涌電壓過高。
　　
　　2.2.1直流過電壓直流過壓產生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級輸入發生異常所致。解決的辦法是在選取IGBT時,進行降額設計;另外,可在檢測出這一過壓時分斷IGBT的輸入,保證IGBT的安全。
　　
　　2.2.2浪涌電壓的保護因為電路中分布電感的存在,加之IGBT的開關速度較高,當IGBT關斷時及與之并接的反向恢復二極管逆向恢復時,就會產生很大的浪涌。