普賽斯二極管反向漏電流測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、n安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

設備特點和優勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000輸出，可并聯后Z大6000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

系統指標

測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容      

續流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

二極管反向漏電流測試設備認準普賽斯儀表，武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發、生產與銷售的研發型高新技術企業。公司以源表為核心產品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來，普賽斯儀表基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，以更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯合更多行業客戶，共同助力我國第三代半導體行業高可靠高質量發展。