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陜西愛姆加電子設(shè)備有限公司


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全自動勻膠顯影機(jī)

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參  考  價:1000000
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號

    M+100CD

  • 品牌

    其他品牌

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)商

  • 所在地

    西安市

規(guī)格

2-8 1000000元 20件可售

聯(lián)系方式:王強(qiáng)查看聯(lián)系方式

更新時間:2025-03-25 16:15:34瀏覽次數(shù):1022次

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產(chǎn)品簡介
依據(jù)配置表報價 面儀    

設(shè)備實現(xiàn)2“-12“晶圓兼容
涂膠、顯影模塊自帶暫停/恢復(fù)功能
同片盒內(nèi)每個硅片可分別制定工藝運行
設(shè)備和各工位全封閉設(shè)計,不受外環(huán)境干擾
可獨立增加層流罩,提升小環(huán)境潔凈度
干濕分離,電液分隔
維護(hù)省力、簡便

詳細(xì)介紹

、使用領(lǐng)域:  
    IC半導(dǎo)體、LED、Bumping、化合物、光通訊、OLED、MEMS等 Wafer Size 晶圓尺寸:Φ2"-8"
    Spin motor主軸轉(zhuǎn)速:0-8000rpm±1rpm
   Uniformation膜厚均勻性:<1%(參考AZ1500)
  Temperation溫度均勻性:0-250℃±0.5℃                                                      
    MTBF:≥1500小時Uptime:95%                                                                                        
         二、涂膠單元 Coater Uint:    
              膠盤:Teflon,Delrin
   可編程移動式滴膠
   可配3路噴嘴
   正/背面去邊清洗
   主軸電機(jī):伺服電機(jī)(高速:8000rpm)
   勻膠溫度控制(選配)
   噴嘴預(yù)清洗(選配)
   環(huán)境溫濕度控制(選配)
         三、顯影單元 Developer:                                                                
     膠盤:Delrin
   4路噴液(2 spray,1 streaam, 1 Dl water)
   主軸電機(jī):伺服電機(jī)(高速:8000rpm)
   背面清洗
   滴液方式:膠泵或壓力罐
   液體溫度控制(選配)
   排風(fēng)控制
   體積尺寸:1400mm(W)×1400mm(D)×1700mm(H)


顯影機(jī)理

  顯影一詞也用于金屬機(jī)身相機(jī)(銀鹽照片),在光刻工藝中其含義略有不同。在光刻工藝中,負(fù)性光刻膠被光照射,發(fā)生聚合反應(yīng)的部分已經(jīng)是圖像;而正性光刻膠的情況,被光照射的部分

是水溶性的,沒有被光照射的地方不需要通過顯影進(jìn)行放大處理,就會留下圖形。由于曝光就能產(chǎn)生可見的圖形,因此成為“顯影"。光刻時,負(fù)性光刻膠的情況下,顯影是去除沒有發(fā)生聚合反

應(yīng)的部分,正性光刻膠的情況下,顯影是溶解被光照射的部分。

顯影工藝和設(shè)備

  負(fù)性光刻膠顯影液主要使用二甲苯、乙酸丁酯,正性光刻膠顯影液主要使用氫氧化銨??傊?,顯影也是一種濕法工藝。正性光刻膠是微細(xì)化工藝的選擇,因此,半導(dǎo)體代工廠使用的是正性

光刻膠的顯影設(shè)備,顯影設(shè)備液類似于旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī),由于顯影后需要沖洗,故顯影設(shè)備裝配有顯影液和沖洗液噴霧。顯影設(shè)備不是獨立存在的,涂膠機(jī)、曝光機(jī)、顯影設(shè)備常常需系統(tǒng)化布置,

工藝流程也按照此順序進(jìn)行,也被稱為連續(xù)化(In-Line)。



前工序是芯片制造的初級階段 ,包括晶圓加工、光刻、沉積、刻蝕等步驟。形成了晶圓中電路層、絕緣層等各種層。后工序是芯片制造的后期階段,有清洗、電鍍、切割、封裝、測試等步驟。IC設(shè)計是芯片設(shè)計的核心,芯片制造包括晶圓制造和 晶圓加工。晶圓制造是用二氧化硅制作單晶硅的過程,包括:拉晶-滾磨-線切割-研磨-腐蝕-熱處理-邊緣拋光-正面拋光-清洗-檢測-外延。晶圓加工是晶圓進(jìn)行邏輯電路制作的一步,包括:擴(kuò)散-沉積-光刻-刻蝕-離子注入-拋光-金屬化等。

硅棒生成:硅介于絕緣體和導(dǎo)體間,是半導(dǎo)體的代表。通過摻雜可改變硅的導(dǎo)電性。沙子和碳冶煉形成純度99%的硅,把純硅繼續(xù)加熱成液態(tài)硅,并用細(xì)長的單晶硅放入液態(tài)硅中引導(dǎo)提拉,沉積提拉完成后是純度為99.9999%的兩頭呈錐形的晶錠。

晶圓切割:硅棒切割后形成的薄片就是晶圓。晶圓像一個“畫布"有不同的尺寸:75mm(3寸)、100mm(4寸)、125mm(5寸)、150mm(6寸)、200mm(8寸)、300mm(12寸)。

晶圓研磨:晶圓使用前進(jìn)行打磨后形成一層氧化膜的過程稱晶圓研磨。

光刻工藝:光刻類似于在“畫布"上畫畫,是芯片制造過程中精密步驟之一,是根據(jù)芯片設(shè)計圖在晶圓表面畫出實際電路圖的過程。光刻工藝被用來制作光刻膠線條。首先,化學(xué)或機(jī)械方法去除硅片表面污染物。清洗和表面預(yù)處理后利用增粘劑(HMDS)進(jìn)行底膜處理,有利于增強(qiáng)光刻膠的粘附性。之后是晶圓涂膠,是在晶圓表面涂一層光刻膠。旋涂將液相光刻膠旋涂到硅片表面。通過調(diào)整轉(zhuǎn)速和光刻膠黏度可調(diào)整光刻膠厚度。前烘是烘焙的步驟之一,作用是去除光刻膠中的溶劑,有利于提高硅片和光刻膠間的黏附性。曝光是投影光刻機(jī)產(chǎn)生的像轉(zhuǎn)移到光刻膠內(nèi)的步驟,掩膜版圖的透光區(qū)與光刻膠曝光區(qū)域有關(guān)且曝光區(qū)域的光刻膠性質(zhì)會發(fā)生改變。曝光后的光刻膠需要再次烘焙,稱曝光后烘(PEB),PEB具體功能取決于光刻膠類型和其他工藝要求。PEB可觸發(fā)某些化學(xué)反應(yīng),也可去除溶劑,并加速光刻膠內(nèi)物質(zhì)擴(kuò)散,平滑光刻膠輪廓。顯影是將曝光的和化學(xué)改性后的光刻膠浸入顯影液中進(jìn)行顯影。顯影結(jié)果與光刻膠極性有關(guān),正性被曝光和化學(xué)改性的部分在顯影過程中移除,負(fù)膠相反,未被曝光的被顯影液移除。

蝕刻:離子束對晶圓轟擊,芯片設(shè)計圖可復(fù)制在晶圓表面。

離子注入:離子注入可改變硅導(dǎo)電性,晶圓上形成二極管、三極管、電阻等。

電鍍:晶圓表面鍍銅,完成電路圖晶體管間的連接。

化學(xué)機(jī)械拋光:拋光掉多余的銅,晶圓表面磨光、若需芯片有多層電路,可反復(fù)重復(fù)光刻到最后拋光的過程,可以得到一個布滿各層電路的晶圓。

晶圓切割:晶圓切成一個個獨立芯片的過程。

晶圓封裝:每一個切割后的芯片封裝,一個完整的芯片就誕生了!





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