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蘇州芯矽電子科技有限公司
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全自動BOE濕法清洗機專為半導體晶圓氧化層精準蝕刻設計,采用緩沖氧化物刻蝕液(BOE,HF/NH?F體系)實現SiO?、SiN?等材料的選擇性去除。設備集成PLC控制系統,支持溫度、時間及噴淋/浸泡模式精確調節,確保深孔、高深寬比結構(如3D NAND)的均勻蝕刻。封閉式腔體與PFA耐腐蝕涂層避免污染,單晶圓傳輸系統減少交叉污染風險??蛇x配廢液中和回收模塊,符合環保要求。
全自動BOE濕法清洗機是一款專為半導體晶圓制造設計的濕法制程設備,集成化學刻蝕、精密清洗及自動化控制技術,適用于硅片、晶圓的氧化層去除、光刻膠剝離及污染物清洗等關鍵工藝。以下是其核心功能與技術特點的詳細介紹:
一、核心功能與工藝原理
BOE刻蝕技術
采用緩沖氧化物刻蝕液(BOE,HF/NH?F體系),精準去除SiO?、SiN?等材料,避免對硅基底的過度損傷,適用于淺槽隔離(STI)、柵極氧化層蝕刻等場景。
支持多配方兼容(如SPM、SC-1、DHF),可定制化學溶液濃度與溫度(±0.5℃),滿足不同制程需求。
高效清洗能力
通過噴淋、浸泡及兆聲波(高頻超聲波)協同作用,去除晶圓表面顆粒、金屬污染及有機物殘留,對≥25nm顆粒的去除效率>99%
可選配IPA蒸氣干燥模塊,實現無水漬殘留的超潔凈表面處理。
二、設備結構與技術優勢
自動化系統
機械手傳輸:伺服驅動機械臂精準抓取晶圓,支持6-12英寸晶圓單片處理,定位精度±0.1mm,避免交叉污染。
PLC智能控制:預設多段工藝程序(如預洗→主刻→漂洗→干燥),支持參數實時監控與數據追溯,適配工業4.0互聯需求。
耐腐蝕設計與環保性
材質:槽體采用PFA、石英或PTFE涂層,抗HF、BOE等強腐蝕性藥液,延長設備壽命。
廢液處理:內置UF/MF膜過濾系統,藥液回收率>80%,廢液分類中和,符合RoHS環保標準。
高產能與穩定性
單片處理時間<5分鐘(含干燥),兼容多晶圓批次處理(如50片/批),提升產線效率。
封閉式腔體設計,防止揮發性氣體外泄,確保操作安全與工藝穩定性。
三、應用場景與適配領域
半導體制造
光刻膠剝離后清洗、柵極氧化層蝕刻、TSV(硅通孔)三維封裝前處理等。
適用于制程(如FinFET、GAA架構)對深孔、高深寬比結構的精密清洗需求。
其他領域
第三代半導體(SiC、GaN)器件清洗、LED芯片制造、MEMS器件加工等。
四、定制化服務與技術支持
靈活配置:根據客戶需求定制槽體尺寸、機械臂數量及藥液系統(如添加臭氧消毒模塊)。
售后服務:提供工藝調試、耗材供應(如PFA槽體、過濾器)及終身維護支持,保障設備長期穩定運行。
全自動BOE濕法清洗機以高精度刻蝕、高效清洗及智能化控制為核心,結合環保設計與廣泛工藝兼容性,成為半導體制造中的關鍵設備,尤其適用于節點芯片的高性能清洗需求。
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