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英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3大功率IGBT

參   考   價： ￥ 9999

訂  貨  量： ≥1臺

具體成交價以合同協議為準

產品型號：FZ3600R17KE3

品       牌： 英飛凌/Infineon

廠商性質：經銷商

所  在  地：北京市

更新時間：2024-01-19 10:18:55瀏覽次數：3865

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

1700V IHM 190mm single switch IGBT Module with IGBT3 

集電極—發射極zui大電壓 VCEO:    1700 V    
在25 C的連續集電極電流:    4800 A    
zui大工作溫度:    + 125 C    
封裝 / 箱體:    IHM190    
柵極/發射極zui大電壓:    +/- 20 V    
zui小工作溫度:    - 40 C

 

FZ200R12KF2FZ200R65KF1FZ400R65KF1FZ400R17KE3
FZ300R12KF2FZ400R12KF2FZ400R12KS4FZ400R12KE3
FZ500R12KL4CFZ600R12KE3FZ600R17KE3FZ800R12KE3
FZ600R12KS4FZ800R12KF4FZ800R16KF4FZ800R33KF1
FZ900R12KF5FZ900R16KF1FZ1000R12KF4FZ1000R12KF5
FZ1000R25KF1FZ1050R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4CFZ1200R16KF4FZ1200R25KF1FZ1200R33KF1
FZ800R12KS4FZ800R33KF2FZ1200R25KF4FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF1FZ1600R12KF4FZ1600R17KF6CFZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1FZ1800R16KF4FZ2400R12KF4FZ2400R17KF6B
FZ3600R12KE3FZ3600R17KE3FZ600R65KF1FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3FZ2400R12KL4CFZ1600R12KL4C

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