MOV與通用型壓敏電阻性能要求的主要區(qū)別

2012年12月15日 21:14:23人氣：816來源：揚州中恒電氣有限公司

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MOV與通用型壓敏電阻性能要求的主要區(qū)別

限壓型SPD使用的MOV芯片幾何尺寸大、通流容量要求高，殘壓比要求小。例如34×34mm芯片要求8/20μs標稱通流In 20kA、Imax 40kA/2次；而Φ20通用型壓敏電阻zui大通流容量為10kA/1次；前者瞬間電流密度為34.6A/mm2 ，后者為31.8A/mm2，二者相差10%；前者需經(jīng)受二次不損壞，而后者僅需一次；前者制作成SPD后還需經(jīng)受熱平衡考驗（指MOV芯片分別流過2mA-的工頻交流電流），所以前者焦爾熱容量要求比后者要大很多。由于幾何尺寸大，形狀異，電氣性能要求高，SPD用MOV芯片在制造工藝及電氣參數(shù)特性上有其特殊性。這二種產(chǎn)品性能要求的側(cè)重異同見下表：

在此重點介紹一下SPD用MOV芯片要重視熱容量的理由：SPD的熱脫離原理是利用MOV芯片失效后在工頻負荷的作用下，其泄漏電流不斷增大導致芯片發(fā)熱將熱脫離機構(gòu)的低熔點合金焊接點熔化脫離切斷電路以達到保護目的，MOV芯片自身還存在熱熔擊穿的問題，一旦MOV芯片被熱熔擊穿，就成了一個阻值很低的導體，造成系統(tǒng)短路，有時會起弧使模塊內(nèi)的物質(zhì)迅速氣化、壓力驟增造成爆炸、噴火燃燒，損毀設(shè)備、建筑。故熱脫離機構(gòu)必須在MOV芯片被熱熔擊穿前實現(xiàn)脫離，熱容量大的MOV芯片在被熱熔擊穿前可堅持更長的時間以保證熱脫離機構(gòu)的低熔點合金焊接點熔化，此即要重視MOV芯片熱容量的理由。對同種材料來說，一般只能通過增加物質(zhì)量來提高熱容量，在徑向尺寸固定的情況下，則只有增大軸向尺寸即芯片厚度來增大其熱容量；但是芯片厚度增加同時帶來了殘壓升高的問題，故對芯片的性能要求應當綜合平衡，不可過分強調(diào)其一。

關(guān)鍵詞：壓敏電阻

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