工控摘要：東京大學的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵（GaAs）壁壘結合自行聚合砷化銦（InAs）形成量子點，以構建激光二極管的有源發光區域，再將這些器件鍵合到硅基底上。
　　
　　近日，日本東京大學研制出了鍵合在硅基底上的1.3m量子點（QD）激光二極管。光子電路通常以硅為基底，但目前的光源通常采用化合物半導體研制。特別是，研究人員正在尋求大溫度范圍下穩定工作的器件，以實現更高的工作溫度。東京大學的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵（GaAs）壁壘結合自行聚合砷化銦（InAs）形成量子點，以構建激光二極管的有源發光區域，再將這些器件鍵合到硅基底上。
　　
　　有源區域由8層P-GaAs壁壘中自行聚合的InAs量子點結構組成。每層的點密度為6×1010/cm2。試驗中對直接和金屬介導兩種鍵合工藝進行了測試，兩種工藝研制的器件均可在超過100℃的條件下發射1.3m（光通信的O波段）的激光。這些結果證實了，采用晶圓鍵合工藝研制的硅上III-V族量子點激光器有望在高密度光子集成電路中實現溫度穩定的運行。