工控摘要：多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。
　　
　　利用價值：從目前太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
　　
　　1.裝料
　　
　　將裝有涂層的石英坩堝在熱交換臺上，加入硅原料，然后安裝加熱設備、隔熱設備和爐罩，將爐內抽真空使爐內壓力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氬氣作為保護氣，使爐內壓力基本維持在400-600mbar左右。
　　
　　2.加熱
　　
　　利用石墨加熱器給爐體加熱，首先使石墨部件、隔熱層、硅原料等表面吸附的濕氣蒸發，然后緩慢加溫，使石英坩堝的溫度達到1200-1300℃左右，該過程需要4-5h。
　　
　　3.化料
　　
　　通入氬氣作為保護氣，使爐內壓力基本維持在400-600mbar左右。逐漸增加加熱功率，使適應坩堝內的溫度達到1500℃左右，硅原料開始熔化。熔化過程中一直保證1500℃左右，直至化料結束。該過程約要20-22h。
　　
　　4.晶體生長
　　
　　硅原料熔化結束后，降低加熱功率，使適應坩堝的溫度降至1420-1440℃硅熔點左右。然后石英坩堝逐漸向下移動，或者隔熱裝置逐漸上升，使得石英坩堝慢慢脫離加熱區，與周圍形成熱交換;同時，冷卻板通水，使熔體的溫度自底部開始降低，晶體硅首先在底部形成，生長過程中固液界面始終保持與水平面平行，直至晶體生長完成，該過程約要20-22h。
　　
　　5.退火
　　
　　晶體生長完成后，由于晶體底部和上部存在較大的溫度梯度，因此，晶錠中可能存在熱應力，在硅片加熱和電池制備過程中容易再次硅片碎裂。所以，晶體生長完成后，硅錠保持在熔點附近2-4h，使硅錠溫度均勻，減少熱應力。
　　
　　6.冷卻
　　
　　硅錠在爐內退火后，關閉加熱功率，提升隔熱裝置或者*下降硅錠，爐內通入大流量氬氣，使硅錠溫度逐漸降低至室溫附近;同時，爐內氣壓逐漸上升，直至達到大氣壓，該過程約要10h。