IGBT的技術資料表明,IGBT在10μS內zui大可承受2倍的額定電流,但是經常承受過電流會使器件過早老化[3>,故IGBT的驅動過流保護電路的設計原則為:一、當過電流值小于2倍額定電流值時,可采用瞬時封鎖柵極電壓的方法來實現保護;二、當過電流值大于2倍額定電流值時,由于瞬時封鎖柵極電壓會使di/dt很大,會在主回路中感應出較高的尖峰電壓,故應采用軟關斷方法使柵極電壓在2μS—5μS的時間內降至零電壓[4>,至zui終為-5伏的反電壓;三、采用適當的柵極驅動電壓.基于上述思想,驅動過流保護電路現分為分離元件驅動過流保護電路和模塊驅動過流保護電路.
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