摘要:Litfuse宣布推出SPHV(單向)和SPHV-C(雙向)系列200W分立瞬態抑制二極管陣列(SPA二極管)。
相比早期技術,這兩個產品系列能夠更好地保護敏感設備免遭靜電放電(ESD)和其它過壓瞬變造成的損壞。SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2標準中zui高值的反復性ESD震擊,而不會引起性能下降,并能以非常低的箝位電壓耗散高達8A的感應浪涌電流。由于采用SOD882封裝,非常適合替代汽車電子產品、LED照明模塊、便攜式儀表、通用I/O、移動和手持設備、CAN和LIN總線、RS232/RS485以及其他各種低速I/O等應用中的0402規格多層壓敏電阻(MLV)。對于那些需要在印刷電路板上不能使用陣列的地方設置ESD和浪涌保護器件的設計人員而言,這兩個產品系列也是理想的解決方案。
瞬態抑制二極管陣列產品系列總監ChadMarak表示:“由于采用替代材質的設備具有內在的磨損缺陷,而SPHV和SPHV-C系列瞬態抑制二極管陣列采用硅二極管制成,因此可提供高出2-3倍的ESD保護能力。這有利于在每日易遭受ESD威脅并且設備在整個工作壽命期間需要經受數百乃至數千次ESD震擊的環境中部署更加的產品。由于其動態電阻很低,因此相比采用同類技術的器件可將箝位電壓降低高達60%,成為保護采用小型IC的現代電子產品的理想選擇。”
SPASPHV和SPHV-C系列瞬態抑制二極管陣列具有下列突出優勢:
可在高達±30kV(接觸放電)的條件下提供ESD保護,并在高達8A(tP=8/20µs)的條件下提供浪涌保護,幫助設備制造商達到并超過行業標準的要求,并延長設備壽命和系統正常運行時間。
動態電阻很低,相比采用同類技術的器件可將箝位電壓降低高達60%,成為保護采用小型IC的現代電子產品的理想選擇。
相比具有內在磨損缺陷的早期技術,其采用硅二極管制成,能夠處理多次(>1000)ESD震擊或瞬態浪涌,同時不會對性能造成不利影響。
AEC-Q101認證產品,可用于汽車電子產品中,確保提供zui大的可靠性。
相比早期技術,這兩個產品系列能夠更好地保護敏感設備免遭靜電放電(ESD)和其它過壓瞬變造成的損壞。SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2標準中zui高值的反復性ESD震擊,而不會引起性能下降,并能以非常低的箝位電壓耗散高達8A的感應浪涌電流。由于采用SOD882封裝,非常適合替代汽車電子產品、LED照明模塊、便攜式儀表、通用I/O、移動和手持設備、CAN和LIN總線、RS232/RS485以及其他各種低速I/O等應用中的0402規格多層壓敏電阻(MLV)。對于那些需要在印刷電路板上不能使用陣列的地方設置ESD和浪涌保護器件的設計人員而言,這兩個產品系列也是理想的解決方案。
瞬態抑制二極管陣列產品系列總監ChadMarak表示:“由于采用替代材質的設備具有內在的磨損缺陷,而SPHV和SPHV-C系列瞬態抑制二極管陣列采用硅二極管制成,因此可提供高出2-3倍的ESD保護能力。這有利于在每日易遭受ESD威脅并且設備在整個工作壽命期間需要經受數百乃至數千次ESD震擊的環境中部署更加的產品。由于其動態電阻很低,因此相比采用同類技術的器件可將箝位電壓降低高達60%,成為保護采用小型IC的現代電子產品的理想選擇。”
SPASPHV和SPHV-C系列瞬態抑制二極管陣列具有下列突出優勢:
可在高達±30kV(接觸放電)的條件下提供ESD保護,并在高達8A(tP=8/20µs)的條件下提供浪涌保護,幫助設備制造商達到并超過行業標準的要求,并延長設備壽命和系統正常運行時間。
動態電阻很低,相比采用同類技術的器件可將箝位電壓降低高達60%,成為保護采用小型IC的現代電子產品的理想選擇。
相比具有內在磨損缺陷的早期技術,其采用硅二極管制成,能夠處理多次(>1000)ESD震擊或瞬態浪涌,同時不會對性能造成不利影響。
AEC-Q101認證產品,可用于汽車電子產品中,確保提供zui大的可靠性。
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