摘要:功率半導體和管理方案–整流器公司(簡稱IR)推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管(IGBT)IR66xx系列。
新器件采用溝道纖薄晶圓技術把導通損耗和開關損耗降到zui低,并與軟恢復低Qrr二極管一起封裝。這些600VIGBT通過5µs短路額定值來提供從8KHz到30KHz的超高速開關,還具備有助于并聯的低Vce(on)和正溫度系數。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR66xx系列把導通損耗和開關損耗降到zui低,能夠為希望優化焊接應用性能的設計師提供堅固可靠的解決方案。”
全新IGBTIR66xx系列還具有高開關頻率、zui高達175°C的工作結溫和低電磁干擾的特點,有效提升可靠性和系統效率,并且提供穩固的瞬態性能。
新器件采用溝道纖薄晶圓技術把導通損耗和開關損耗降到zui低,并與軟恢復低Qrr二極管一起封裝。這些600VIGBT通過5µs短路額定值來提供從8KHz到30KHz的超高速開關,還具備有助于并聯的低Vce(on)和正溫度系數。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR66xx系列把導通損耗和開關損耗降到zui低,能夠為希望優化焊接應用性能的設計師提供堅固可靠的解決方案。”
全新IGBTIR66xx系列還具有高開關頻率、zui高達175°C的工作結溫和低電磁干擾的特點,有效提升可靠性和系統效率,并且提供穩固的瞬態性能。
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