在太陽能逆變器的設計中，常用的IGBT分別為平面型IGBT和 溝道型IGBT。在平面型IGBT中，多晶硅柵極是呈“平面”分布或者相對于p+體區是水平分布的。在溝道型IGBT中，多晶硅柵極是以“溝道方式向下” 進入p+體區。這種結構有一個優點，就是可以減小通道對電子流的阻力并消除電流擁擠現象，因為此時電子垂直地在通道中流過。在平面型IGBT中，電子以某 種角度進入通道，引起電流擁擠，從而增加電子流的阻力。在溝道型IGBT中，電子流的增強使Vce(on)大幅度降低。

　　除了降低Vce(on)外，通過將IGBT改成更薄的結構可以降低開關能量。結構越薄則空穴-電子復合速度就越快，這降低了IGBT關斷時的拖 尾電流。為保持相同的耐擊穿電壓能力，在溝道型IGBT內構造了一個n場阻止層，以便在IGBT上的電壓增大時，阻止電場到達集電極區域。這樣實現的更低 的傳導能量和開關能量允許逆變器的尺寸更小，或者相同尺寸逆變器的功率密度更大。