摘要：日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出新的500V家族里MOSFET---SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650VE系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。新器件的低導通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類產品、照明應用和ATX/桌面PC機開關電源(SMPS)里將起到節能的重要作用。
　　
　　VishaySiliconixSiHx25N50E500VMOSFET使用第二代超級結技術，為采用高性能平面技術的Vishay現有500VD系列器件補充了率產品。這些2器件的導通電阻為145mΩ，提供TO-220(SiHP25N50E)、TO-247AC(SiHG25N50E)和細引線的TO-220FULLPAK(SiHA25N50E)等多種封裝選項，這些低外形封裝適用于薄型消費類產品。
　　
　　新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷，柵極電荷與到導通電阻乘積也較低，該參數是功率轉換應用里MOSFET的優值系數(FOM)。與Vishay的600V和650VE系列器件類似，500V技術具有低導通電阻和優化的開關速度，能夠提高功率因數校正(PFC)、*關正激轉換器和反激轉換器應用里的效率和功率密度。
　　
　　器件符合RoHS，可承受雪崩和開關模式里的高能脈沖，保證極限值通過*UIS測試。