摘要：意法半導體推出*的單通道柵驅動器芯片STGAP1S。新產品在同一芯片上集成電隔離層和模擬及邏輯電路，有助于設計人員簡化驅動器設計，同時確保產品具有優異的抗噪性能，實現安全可靠的功率控制效果。
　　
　　STGAP1S是意法半導體新一代gapDRIVE™柵驅動器的產品。新產品整合意法半導體*的雙極-CMOS-DMOS(BCD)制造工藝以及在芯片上植入隔離層的創新技術，可進一步提高系統集成度。高壓軌上可耐受zui高達1500V電壓，而不會干擾其它電路;高可靠性使其適用于工業驅動器、大功率600V或1200V逆變器、太陽能逆變器以及不間斷電源(uninterruptiblepowersupplies)。
　　
　　100ns電隔離層信號傳播延時，使STGAP1S能夠傳輸高精度的PWM信號。新產品集成驅動級的灌入或源出電流zui高達;軌對軌輸出支持負驅動電壓，可與大型絕緣柵雙極型晶體管(IGBT,InsulatedGateBipolarTransistors)或寬帶隙(wide-bandgap)電源開關(例如碳化硅MOSFET)配套使用。新產品具有優異的共模瞬變免疫能力(common-modetransientimmunity)，可耐受超過±50V/ns的共模瞬變電壓，支持跨電隔離層通信和安全的工作環境。灌入與源出輸出分開式設計可提高設計的靈活性，有助于減少外部元器件的使用。
　　
　　新產品可通過內置的工業標準接口SPI端口與主控制器通信，內部控制邏輯可實時監控工作狀態。STGAP1S通過這個接口向主控制器提供豐富的診斷信息，進一步提升系統保護性能和工作可靠性。
　　
　　新智能驅動器還集成大量的保護功能，幫助芯片zui大限度提升在惡劣工業環境中的工作可靠性。這些保護功能包括防止無用的晶體管導通的功率級有源米勒箝位(activeMillerclamp);在短路條件下保護開關的去飽和檢測(desaturationdetection);可防止有危害性的電壓過沖的集電極-發射極的過壓保護(collector-emitterovervoltageprotection)及輸出雙電平關斷功能;過熱保護(over-temperatureprotection)、欠壓保護(UVLO,Under-VoltageLockout)和過壓保護(OVLO,Over-VoltageLockout)以及過流(over-current)檢測引腳。
　　
　　STGAP1S是一款具有集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。