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STGAP1S是意法半導(dǎo)體新一代gapDRIVE™柵驅(qū)動(dòng)器的產(chǎn)品。新產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體*的雙極-CMOS-DMOS(BCD)制造工藝以及在芯片上植入隔離層的創(chuàng)新技術(shù),可進(jìn)一步提高系統(tǒng)集成度。高壓軌上可耐受zui高達(dá)1500V電壓,而不會(huì)干擾其它電路;高可靠性使其適用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、大功率600V或1200V逆變器、太陽(yáng)能逆變器以及不間斷電源(uninterruptiblepowersupplies)。
100ns電隔離層信號(hào)傳播延時(shí),使STGAP1S能夠傳輸高精度的PWM信號(hào)。新產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)級(jí)的灌入或源出電流zui高達(dá);軌對(duì)軌輸出支持負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓,可與大型絕緣柵雙極型晶體管(IGBT,InsulatedGateBipolarTransistors)或?qū)拵?wide-bandgap)電源開(kāi)關(guān)(例如碳化硅MOSFET)配套使用。新產(chǎn)品具有優(yōu)異的共模瞬變免疫能力(common-modetransientimmunity),可耐受超過(guò)±50V/ns的共模瞬變電壓,支持跨電隔離層通信和安全的工作環(huán)境。灌入與源出輸出分開(kāi)式設(shè)計(jì)可提高設(shè)計(jì)的靈活性,有助于減少外部元器件的使用。
新產(chǎn)品可通過(guò)內(nèi)置的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口SPI端口與主控制器通信,內(nèi)部控制邏輯可實(shí)時(shí)監(jiān)控工作狀態(tài)。STGAP1S通過(guò)這個(gè)接口向主控制器提供豐富的診斷信息,進(jìn)一步提升系統(tǒng)保護(hù)性能和工作可靠性。
新智能驅(qū)動(dòng)器還集成大量的保護(hù)功能,幫助芯片zui大限度提升在惡劣工業(yè)環(huán)境中的工作可靠性。這些保護(hù)功能包括防止無(wú)用的晶體管導(dǎo)通的功率級(jí)有源米勒箝位(activeMillerclamp);在短路條件下保護(hù)開(kāi)關(guān)的去飽和檢測(cè)(desaturationdetection);可防止有危害性的電壓過(guò)沖的集電極-發(fā)射極的過(guò)壓保護(hù)(collector-emitterovervoltageprotection)及輸出雙電平關(guān)斷功能;過(guò)熱保護(hù)(over-temperatureprotection)、欠壓保護(hù)(UVLO,Under-VoltageLockout)和過(guò)壓保護(hù)(OVLO,Over-VoltageLockout)以及過(guò)流(over-current)檢測(cè)引腳。
STGAP1S是一款具有集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。
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SAMPE中國(guó)第二十屆國(guó)際先進(jìn)復(fù)合材料展覽會(huì)
展會(huì)城市:北京市展會(huì)時(shí)間:2025-06-18