IGBT

模塊簡介

IGBT

是

Insulated Gate Bipolar Transistor(

絕緣柵雙極型晶體管

)

的縮寫，

IGBT

是由

MOSFET

和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為

MOSFET

，輸出極為

PNP

晶體

管，它融和了這兩種器件的優點，既具有

MOSFET

器件驅動功率小和開關速度快的優點，

又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于

MOSFET

與功率晶體管之

間，可正常工作于幾十

kHz

頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，

在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

IGBT

的等效電路如圖

1

所示。由圖

1

可知，若在

IGBT

的柵極和發射極之間加上驅動正

電壓，則

MOSFET

導通，這樣

PNP

晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導

通；若

IGBT

的柵極和發射極之間電壓為

0V

，則

MOS 

截止，切斷

PNP

晶體管基極電流的

供給，使得晶體管截止。

IGBT

與

MOSFET

一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極

—

發射極

間施加十幾

V

的直流電壓，只有在

uA

級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

IGBT

模塊的選擇

IGBT

模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。

其相互關系見

下表。使用中當

IGBT

模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗

增大，使原件發熱加劇，因此，選用

IGBT

模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高

頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。

3 

使用中的注意事項

由于

IGBT

模塊為

MOSFET

結構，

IGBT

的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。

由