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Vds過高
Vds的應力要求：
惡劣條件(最高輸入電壓，負載最大，環境溫度最高，電源啟動或短路測試)下，Vds的最大值不應超過額定規格的90%。
Vds降低的辦法：
1)減小平臺電壓：減小變壓器原副邊圈數比；
2)減小尖峰電壓：
a.減小漏感，變壓器漏感在開關管開通是存儲能量是產生這個尖峰電壓的主要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓；
b.調整吸收電路：
① 使用TVS管；
② 使用較慢速的二極管，其本身可以吸收一定的能量(尖峰)；
③ 插入阻尼電阻可以使得波形更加平滑，利于減小EMI。
IC溫度過高
原因及解決辦法：
1)內部的MOSFET損耗太大：
開關損耗太大，變壓器的寄生電容太大，造成MOSFET的開通、關斷電流與Vds的交叉面積大。解決辦法：增加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，如同繞組分多層繞制時，層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣) 。
2)散熱不良：
IC的很大一部分熱量依靠引腳導到PCB及其上的銅箔，應盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫
3)IC周圍空氣溫度太高：
IC應處于空氣流動暢順的地方，應遠離零件溫度太高的零件。
空載、輕載不能啟動
現象：
空載、輕載不能啟動，Vcc反復從啟動電壓和關斷電壓來回跳動。
原因：空載、輕載時，Vcc繞組的感應電壓太低，而進入反復重啟動狀態。
解決辦法：增加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻，適當加上假負載。如果增加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻后，重載時Vcc變得太高，請參照穩定Vcc的辦法。
啟動后不能加重載
原因及解決辦法：1)Vcc在重載時過高
重載時，Vcc繞組感應電壓較高,使Vcc過高并達到IC的OVP點時，將觸發IC的過壓保護，引起無輸出。如果電壓進一步升高，超過IC的承受能力，IC將會損壞。
2)內部限流被觸發
a.限流點太低
重載、容性負載時，如果限流點太低，流過MOSFET的電流被限制而不足，使得輸出不足。解決辦法是增大限流腳電阻，提高限流點。
b.電流上升斜率太大
上升斜率太大，電流的峰值會更大，容易觸發內部限流保護。解決辦法是在不使變壓器飽和的前提下提高感量。
關鍵詞：變壓器
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展會城市：北京市展會時間：2025-06-18