光電導檢測器是利用半導體光電效應的原理制成的，當紅外光照射到半導體元件上時，它吸收光子能量后使非導電性的價電子躍遷至高能量的導電帶，從而降低了半導體的電阻，引起電導率的改變，所以又稱其為半導體檢測器或光敏電阻。光電檢測器與氧化鋯分析儀和電化學分析儀原理不同。

光電導檢測器使用的材料主要有銻化銦（InSb）、硒化鉛（PbSe）、硫化鉛（PbS）、碲鎘汞（HgCdTe）等。

紅外線氣體分析器大多采用銻化銦檢測器，也有采用硒化鉛、硫化鉛檢測器的。銻化銦檢測器在紅外波長3~7 μm 具有高響應率（響應率即檢測器的電輸出和靈敏面入射能量的比值），在此范圍內CO、CO2、CH4，C2H2、NO、SO2，NH3，等幾種氣體均有吸收帶，其響應時間僅為5×10^-6s。

光電導檢測器的結構簡單、成本低、體積小、壽命長、響應迅速。與氣動檢測器（薄膜電容、微流量檢測器）相比，它可采用更高的調制頻率（切光頻率可高達幾百赫茲）。使信號的放大處理更為容易。它與窄帶干涉濾光片配合使用，可以制成通用性強、快速響應的紅外分析器。其缺點是半導體元件的特性（特別是靈敏度）受溫度變化影響大，一般需要在較低的溫度（77~200 K不等，與波長有關）下工作，因此需要采取致冷措施。