KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用

2023年04月04日 16:59:11人氣：255來源：伯東企業（上海）有限公司

上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積和 IBD 離子束沉積是其典型的應用.
KRi 離子源

KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小于× 10-4 torr

KRi 離子源, 離子束濺射沉積

離子源在離子束濺射沉積工藝過程:
離子源在離子束濺射沉積過程:

上海伯東美國 KRi 射頻離子源優勢
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠離等離子體: 低基材溫度
不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
非常適用于復雜, 精密的多層薄膜制備
清潔, 低污染工藝
沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
離子能量, 離子電流密度的控制
優良的反應沉積工藝

美國 KRi RFICP 射頻離子源技術參數：

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

上海伯東同時提供濺射沉積系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生

上一篇：在運用電加熱器時，有哪些注意事項？

下一篇：電動蝶閥的操作注意事項

全年征稿/資訊合作 聯系郵箱：1271141964@qq.com

免責聲明

凡本網注明"來源：智能制造網"的所有作品，版權均屬于智能制造網，轉載請必須注明智能制造網，http://www.xashilian.com。違反者本網將追究相關法律責任。
企業發布的公司新聞、技術文章、資料下載等內容，如涉及侵權、違規遭投訴的，一律由發布企業自行承擔責任，本網有權刪除內容并追溯責任。
本網轉載并注明自其它來源的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點或證實其內容的真實性，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網站或個人從本網轉載時，必須保留本網注明的作品來源，并自負版權等法律責任。
如涉及作品內容、版權等問題，請在作品發表之日起一周內與本網聯系，否則視為放棄相關權利。

大地资源网视频在线观看新浪,日本春药精油按摩系列,成人av骚妻潮喷,国产xxxx搡xxxxx搡麻豆

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用

免責聲明