早在1879年人們就在金屬中發現了霍爾效應，1910年就有人用鉍制成了霍爾元件，用以測量磁場。但由于這種效應在金屬中十分微弱，當時并沒有引起什么重視。1948年后，由于半導體技術的迅速發展，人們找到了霍爾效應較為顯著的半導體材料——鍺（Ge），接著，在1958年前后，人們又對化合物半導體——銻化銦（InSb）、砷化銦（InAs）進行了大量的研究，并制成了較為滿意的元件。這時霍爾效應以及它所具有的廣泛的應用才受到了人們普遍的重視。

霍爾元件是一種基于霍爾效應的磁傳感器。用它們可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。霍爾元件具有許多優點，它們的結構牢固，體積小，重量輕，壽命長，安裝方便，功耗小，頻率高（可達1MHZ），耐震動，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。

霍爾元件可用多種半導體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質結構量子阱材料等等。

其中N型鍺容易加工，其霍爾常數、溫度性能、輸出線性都較好，應用非常普遍銻化銦元件由于在高溫時霍爾常數大，所以輸出較大，但對溫度最敏感，尤其在低溫范圍內溫度系數大；砷化銦的霍爾常數較小，溫度系數也較小，輸出線性好；砷化鎵的溫度特性和輸出線性好，是較理想的材料，但價格較貴。不同材料適用于不同場合，銻化銦適用于作為敏感元件，鍺和砷化銦霍爾元件適用于測量指示儀表。

霍爾元件的外形如下圖所示，它是由霍爾片、4根引線和殼體組成。霍爾片是一塊矩形半導體單晶薄片（一般為4mm×2mm×0.1mm），在它的長度方向兩端面上焊有a、b兩根引線，稱為控制電流端引線，通常用紅色導線。其焊接處稱為控制電流極（或稱激勵電流），要求焊接處接觸電阻很小，并呈純電阻，即歐姆接觸（無PN結特性）。在薄片的另兩側端面的中間以點的形式對稱地焊有c、d兩根霍爾輸出引線，通常用綠色導線。其焊接處稱為霍爾電極，要求歐姆接觸，且電極寬度與基片長度之比小于0.1，否則影響輸出。霍爾元件的殼體上用非導磁金屬、陶瓷或環氧樹脂封裝。圖（b）為霍爾元件結構示意圖，圖（c）是霍爾元件符號。

目前，的霍爾元件材料是鍺（Ge）、硅（Si）、銻化銦（InSb）、砷化銦（lnAs）和不同比例銦和磷酸銦組成的ln型固熔體等半導體材料。值得一提的是，20世紀80年代末出現了一種新型霍爾元件——超晶格結構（砷化鋁/砷化鎵）的霍爾器件，它可以用來測10-T的微磁場。可以說，超晶格霍爾元件是霍爾元件的一個質的飛躍。

霍爾元件應用霍爾效應的半導體。