上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源簡介

2023年07月07日 14:51:46人氣：535來源：伯東企業（上海）有限公司

考夫曼離子源創始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年考夫曼博士發明了電子轟擊離子推進器并以他的名字命名(考夫曼推進器). 1969年美國航空航天學會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進獎, 1970年考夫曼推進器贏得了IR 100 (前身研發100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂

1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發生產商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業,真空系統設備商和研究機構提供*的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 考夫曼離子源
KRI 離子源主要產品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計超過 25種規格, 累積銷售 3500+ 臺!
KRI 考夫曼離子源
射頻離子源 RFICP 系列技術規格:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

考夫曼離子源 KDC 系列技術規格:

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

霍爾離子源 eH 系列技術規格:

型號	eH 400	eH 1000	eH1000 xO2	eH 2000	eH 3000
Cathode/Neutralizer	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC HC HC	HC
陽極電壓	50-300V 30-150V	50-300V 30-150V 50-300V	100-300V	50-300V 30-150V 50-250V	50-250V 50-300V 50-250V
電流	5A 10A	10A 12A 5A	10A	10A 15A 15A	20A 10A 15A
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25sccm	2-50sccm	2-50sccm	2-75sccm	5-100sccm
高度	3.0“	4.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	可選	可選	可選	是	可選

KRI 離子源主要應用
作為一種新興的材料加工技術, 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應用于真空環境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內, 對樣品進行預清洗和輔助鍍膜
霍爾離子源輔助鍍膜

離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內, 對樣品進行預清洗和濺射鍍膜
射頻離子源,濺射鍍膜

在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
上海伯東美國 KRI 離子源
測試結果
上海伯東RFICP325脫模測試

--------- 使用其他品牌離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------

從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊

美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專, 在此領域中,, KRI 團隊成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術論文,為推進寬波束設備和材料加工領域行業的知識體系做出貢獻!

上海伯東是美國考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司離子源已廣泛應用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射時靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.

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上海伯東：羅先生

關鍵詞：顯微鏡控制器電源控制器

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