刻蝕是半導體制造中的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點監測 (干法刻蝕終點檢測), 通過持續監控腔室工藝化學氣體, 確保半導體晶圓生產的高產量和吞吐量.

Aston 質譜儀干法刻蝕終點檢測整體解決方案
連續蝕刻工藝金屬, 如鋁 Al, 鎢 W, 銅 Cu, 鈦 Ti 和氮化鈦 TiN 會形成非揮發性金屬鹵化物副產物, 例如六氯化鎢 WCl6 重新沉積在蝕刻的側壁上, 因顆粒污染或沉積材料導致電氣短路, 從而導致產量降低.

上海伯東 Aston 質譜儀提供包括腔室和過程, 例如指紋識別, 腔室清潔, 過程監控, 包括有腐蝕性氣體存在時, 顆粒沉積和氣體污染物凝結. 

Aston 質譜分析儀與腔室連接

Aston 質譜分析儀等離子刻蝕腔體監測

Aston 質譜分析儀 CVD 清洗終點優化

Aston 質譜分析儀小開口區域刻蝕

Aston 質譜儀干法刻蝕終點檢測優勢
高性能, 嵌入式和可靠的原位計量分子氣體計量
完整的腔室解決方案, 在不同工藝步驟中對前體, 反應物和副產物進行時時監測
批量生產過程的控制
高靈敏度, Aston™ 質譜儀的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測限比 OES （LOD 約 2.5%）高出一個數量級.

Aston 質譜儀技術參數

為了確保一致和優化的接觸蝕刻, 需要高靈敏度的原位分子診斷來提供蝕刻副產物的實時測量和量化, 并能夠檢測到明確定義的終點. 隨著接觸開口面積 OA% 的減少, 諸如光學發射光譜 OES 等傳統計量解決方案缺乏準確檢測蝕刻終點的靈敏度（低信噪比 SNR 比）.  上海伯東 Aston™ 質譜儀的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測限比 OES （LOD 約 2.5%）高出一個數量級. 此外, Aston™ 質譜儀內部產生的基于等離子體的電離源允許它在存在腐蝕性蝕刻氣體的情況下工作, 無論處理室中是否存在等離子體源.

若您需要進一步的了解 Atonarp  Aston™ 在線質譜儀詳細信息或討論,
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