直播推薦
企業(yè)動態(tài)
- 會后報道 | 世界級制造WCM與工業(yè)4.0創(chuàng)新大會暨頒獎盛典新聞動態(tài)
- 東莞皓天交付隔爆試驗箱,助力廣東電子科技企業(yè)品質(zhì)升級
- SNEC 2025大秦數(shù)能兩類新品連發(fā),以“智慧儲能”助推能源轉(zhuǎn)型
- 藍芯科技即將亮相泰國NEPCON Thailand 2025
- 漢達森攜手瑞典AQ邀您共聚CPHI China 2025
- 歐姆龍亮相SNEC 2025:助推新能源產(chǎn)業(yè)加速升級,為零碳未來蓄能
- 東莞市皓天試驗設備有限公司召開線上技術會議 凝聚智慧共促技術升級
- 天津市投資促進局、天津市建設銀行一行到訪國聯(lián)股份肥多多
推薦展會
1064nm 窄帶濾光片是在各類玻璃材質(zhì)表面通過特殊的鍍膜工藝而形成的光學元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長, 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長定位準確、透過高、截止深、溫漂小、耐用性好、光潔度好的特點, 是激光設備應用中常見的濾光片解決方案.
1064nm 窄帶濾光片使用在各種特殊的場合和惡劣的氣候環(huán)境, 要求濾光片在苛刻的使用條件下有良好的性能, 故膜層的牢固度和技術指標穩(wěn)定性非常重要. 這些性能包括:大口徑面積內(nèi)膜層均勻性好、透射率要求高、膜層牢固度高、中心波長穩(wěn)定性好(零漂移)等. 上海伯東某客戶采用采用光學鍍膜機加裝美國進口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制 1064nm 窄帶濾光片激光膜, 以達到客戶對于高品質(zhì)鍍膜效果的需求.
KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜:
1. 應用方向: 離子清洗, 輔助沉積
2. 鍍膜機型: 1米7 的大型蒸鍍設備, 配置美國 KRi 射頻離子源 RFICP 380
3. 測試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時高溫高濕嚴苛環(huán)境測試
4. 鍍膜材料: Ti305+Si02、Ta205+Si02
5. 應用領域: 激光設備、生化儀、光學測量儀器、酶標儀、生物識別、紅外醫(yī)療儀器、熒光分析儀、醫(yī)療檢測設備等其他生物化學分析儀器
上海伯東美國進口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制1064nm窄帶濾光片, 沉積過程穩(wěn)定, 加以合理的膜系設計, 可以很好地鍍制出透過率高、截止寬度寬、溫度漂移小、膜層致密度高、使用壽命長的產(chǎn)品.
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 系列技術參數(shù):
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 22 cm Φ | 38 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 or RFN |
KRI 射頻離子源其余相關應用:
KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積立方氮化硼薄膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備微晶硅薄膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 Ir 膜
相關產(chǎn)品:
美國 KRi 射頻離子源 RFICP 380,滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用.
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 220
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 140
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:
上海伯東: 羅小姐
上一篇:一體化污水處理設備工藝說明
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明"來源:智能制造網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于智能制造網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明智能制造網(wǎng),http://www.xashilian.com。違反者本網(wǎng)將追究相關法律責任。
- 企業(yè)發(fā)布的公司新聞、技術文章、資料下載等內(nèi)容,如涉及侵權(quán)、違規(guī)遭投訴的,一律由發(fā)布企業(yè)自行承擔責任,本網(wǎng)有權(quán)刪除內(nèi)容并追溯責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品來源,并自負版權(quán)等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權(quán)利。
2025中國鄭州衡器與計量技術設備展覽會
展會城市:鄭州市展會時間:2025-11-07