MOSFET供不應求,價格呈上漲趨勢
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關鍵字: MOSFET IGBT 太陽能 變頻器
就整體市場來看,由于MOSFET芯片的產能和封裝能力皆無法滿足需求,尤其是能夠滿足高質量要求的MOSFET封裝形式(主要是TO-220和TO-3P)的產能不足,于是便造成目前市場出現供不應求的情況。欲改善目前情況,一方面需要擴產,另一方面則需要提升封測水平,預計此波調整將持續至2011年底。
影響所及,MOSFET產品的報價從今年年初以來便一直面臨調漲壓力。相關業者便指出,目前MOSFET市場供給面仍持續呈現吃緊態勢,因此部份品項的急單也已出現調漲情況,且順利獲得客戶端的正面反應,預期第三季在旺季效應的助長下,MOSFET供需仍將趨緊,產品報價甚至有進一步調漲的可能。不過,隨著國內外業者均有新增產能陸續開出,因此整體出貨量還是會隨著產出增加而成長,預期整體供需至第四季時,供需即可望逐步獲得舒緩。
杭州士蘭微電子器件事業部總湯學民
杭州士蘭微電子器件事業部總湯學民亦發表對于MOSFET的價格的看法,他指出,由于MOSFET將繼續保持高增長率,而其生產能力的擴充將會有一個過程,所以性價比較高的MOSFET產品近期不會出現大幅的降價,在一些增長特別快的領域中,個別規格的產品則可能會由于供貨的緊張而出現短時的漲價現象。
至于英飛凌科技(中國)多元化電子市場事業部電源管理市場工程師胡鳳平則強調,zui近一段時間市場上供貨的確出現緊張的情況,不過英飛凌的產品目前仍堅持沒有調漲。
英飛凌目前所生產的MOSFET可分為高壓CoolMOS和低壓OptiMOS兩大種類,以300V電壓等級為分界點。CoolMOS主要應用在太陽能,通信/服務器電源,平板電視電源,計算機適配器等。而OptiMOS的應用除了開關電源以外,還包括計算機主板,低壓電機驅動以及手持設備等等。至于分立IGBT部分,則主要有600V和1200V的產品,廣泛應用在太陽能,家電以及工業應用,如變頻器/電焊機等場合。
率、高性價比及綠色封裝為產品重點
針對國內市場對于MOSFET/IGBT組件的需求,英飛凌胡鳳平表示,國內客戶對能效要求已滲透到生活的各方面,而英飛凌產品包括MOSFET/IGBT都具有率、高性價比以及綠色封裝等特點,因此英飛凌的MOSFET/IGBT可以協助客戶輕松實現能源標準。再者,針對國內具體要求,英飛凌提供靈活的服務和,擁有*的代理商管道,以及第三方和技術合作伙伴,同時英飛凌在深圳和上海皆設有市場銷售以及中心。
就目前國內的MOSFET市場生態來看,消費類電子產品、電信、工控、汽車電子等市場仍被國外半導體器件品牌大廠所把持,如意法半導體、英飛凌、東芝、飛兆等。
其中,飛兆半導體電源系統總監羅鐘民表示,MOSFET產品是飛兆半導體業務的重要部分,而且已為消費和工業市場提供各種電壓范圍(從-500V到1500V)和封裝(穿孔式、SMD、PQFN和模塊封裝)的MOSFET產品。這些產品可用于臺式計算機、服務器、LCD/PDP電視機、電子鎮流器、直流馬達、電池系統、汽車應用和電信基礎設施等方面。飛兆半導體根據各種應用需求,分別推出SuperFET系列(600/650V)、Power Trench MOSFET(<200V)和QFET/UniFET(-500V到1000V)。
另外,在IGBT產品方面,羅鐘民表示,飛兆半導體的IGBT產品通常用于感應加熱、UPS、太陽能逆變器、焊機和馬達控制、PDP電視,以及Vces為300V到1500V的汽車點火器等工業應用,并能夠針對各種應用,提供不同的開關性能和短路性能。飛兆半導體目前已推出使用平面或溝道設計工藝的穿透型(PT) IGBT、非穿透型(NPT) IGBT、SMPS IGBT和新型場截止(FS) IGBT。
國內應用市場仍由國外大廠把持
針對國內市場,飛兆半導體的主推產品則為UniFET、SuperFET、Power Trench MOSFET,以及NPT Trench IGBT、場截止IGBT等。其中,UniFET可為普通電源、數字電視機和電子照明市場提供高成本效益的高壓MOSFET解決方案;SuperFET則是600V超級結MOSFET,具有極低的傳導和開關損耗,可提高系統效率和減小體積。
Power Trench MOSFET則使用溝道工藝來增加活動單元密度,減小20V到150V電壓范圍之同步整流、電池系統、馬達控制和DC/DC轉換器等應用的A*RDS(on)和柵極電荷;至于場截止IGBT則在VCE(sat)和Eoff特性之間提供優化性能,具有高成本效益,將應用于感應加熱、UPS、太陽能逆變器、焊機和馬達控制等應用。
飛兆羅鐘民表示,MOSFET/IGBT的交貨期必需取決于市場狀況,不過,一般而言,MOSFET/IGBT產品的正常交付時間為8-10周,但目前的情況是處于供不應求。
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