SiC 碳化硅功率器件溫度測試
應用于 AI 人工智能, 新能源, 電動汽車, 消費電子等領域的 SiC 碳化硅功率器件是一種新型的半導體器件, 具有高溫, 高頻, 高壓等優異特性. 為確保 SiC 碳化硅功率器件的性能和質量, 需要進行全面的測試和分析. 上海伯東美國 inTEST 高低溫沖擊熱流儀, 兼容各類半導體測試儀器, 為 SiC 碳化硅功率器件的溫度測試提供解決方案.
SiC 碳化硅功率器件的溫度測試主要包含以下幾個方面:?
1. 靜態測試: 靜態測試一般指電壓, 電流, 功率和溫度等方面的測試. 溫度測試用于評估 SiC 碳化硅器件在通電使用, 帶溫環境下的工作穩定性, 確保其能夠在惡劣環境下穩定工作
2. 可靠性測試: 可靠性測試主要包括壽命測試, 溫度循環測試和濕熱循環測試等方面. 包括 AEC-Q10,? AQG-324 和 JEDEC-JC70 等標準. 這些標準涵蓋了從高溫反向偏置 HTRB, ?高溫柵極偏置 HTGB, ?溫度循環 TC 到高濕高溫反向偏壓 H3TRB 等多種測試類型, 以確保 SiC 碳化硅器件的質量和可靠性. 溫度循環測試用于模擬 SiC 碳化硅器件在不同溫度下的工作情況, 以評估其在溫度變化環境下的穩定性.
3. 極限能力測試: 極限能力測試主要包括耐壓測試, 耐電流測試和耐溫度測試等方面. 耐溫度測試用于評估器件在惡劣溫度條件下的穩定性, 對 SiC 碳化硅器件進行高低溫沖擊測試, 確保其在溫度環境下的可靠性.
上海伯東美國 inTEST 熱流儀兼容市面上各類半導體測試機平臺, 完成再電測試下的各類測試. 通過對 SiC 碳化硅器件的關鍵性能進行全面測試和分析, 確保器件的性能和質量, 這也為 SiC 器件的研發和改進提供了重要的技術支持.
inTEST 熱流儀可與愛德萬 advantest, 泰瑞達 teradyne, 惠瑞捷 verigy, 是德 keysight 等聯用, 進行 SiC 碳化硅功率器件溫度沖擊測試 Thermal shock 和溫度循環測試 Thermal cycle.
inTEST 高低溫沖擊熱流儀型號
型號 | BT 28 | ATS-545 | ATS-710E | ECO-710E | ATS-535 |
類型 | 桌面型 | 移動式 | 移動式 | 移動式 | 移動式 |
溫度范圍 °C | -28 至 +225 | -75 至 + 225 | -75至+225 | -80 至 +225 | -60 至 +225 |
變溫速率 | -10 至 +125°C, 約 10 S | -55 至 +125°C 約 10 S | -55 至 +125°C 約 10 s | -55 至 +125°C, ≤ 10S | -40至+ 125°C < 12 s |
空壓機 | 根據應用選配 | 額外另配 | 額外另配 | 額外另配 | 內部集成空壓機 |
控制方式 | 觸摸屏 | 旋鈕式 | 觸摸屏 | 觸摸屏 | 旋鈕式 |
氣體流量 scfm | 14 | 4 至 18 | 4 至 18 | 4 至18 | 5 |
溫度顯示和分辨率 | +/- 0.1°C | ||||
溫度精度 | 1.0°C(根據 NIST 標準校準時) | ||||
電源 | 200-230V +/-10% VAC, 50 Hz, 15 A | 200-250VAC | 200-250VAC | 200-250VAC | 220±10%VAC |
美國 inTEST ThermoStream 系列高低溫沖擊熱流儀, 溫度沖擊范圍 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防靜電設計, 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻, 溫度顯示精度: ±1℃, 通過 NIST 校準. 通過 ISO 9001, CE, RoHS 認證. inTEST 熱流儀提供適用于 RF 射頻, 微波, 電子, 功率器件, 通信芯片等溫度測試, 滿足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯東是美國 inTEST 中國總代理.
若您需要進一步了解 inTEST 熱流儀詳細信息或討論,
請聯絡上海伯東: 葉女士 分機101
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