IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管和MOS（絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。））

         對于應用IGBT晶體管的人來說，我們主要有以下參數需要了解：

IGBT的測試參數包括柵極-發射極閾值電壓、集電極-發射極截止電流、集電極-發射極飽和電壓、IGBT開通關斷時間以及續流二極管的恢復時間等[5]。這些參數的測試方法符合國標GB/T17007-1997的標準，但部分參數的測試方法有所差異和改進。

　　（1）柵極-發射極閾值電壓VGE（TO）測試:由電壓源對被測器件施加規定的集電極-發射極電壓;從零開始逐漸增加柵極-發射極間的電壓,當檢測到集電極電流達到規定值時，此時的柵極電壓值即為柵極-發射極閾值電壓。

　　（2）柵極-發射極漏電流IGES測試:

　　集電極-發射極間短路;由電壓源對被測器件施加規定的柵極-發射極電壓,這時通過柵極

-發射極回路的電流即為柵極-發射極漏電流。

　　（3）集電極-發射極截止電流ICES測試:柵極-發射極短路;由電壓源對被測器件施加規定的集電極-發射極電壓,這時通過集電極-發射極回路的電流即為集電極-發射極截止電流。

　　（4）集電極-發射極飽和電壓VCE（sat）測試:由電壓源對被測器件施加規定幅值和脈寬的柵極電壓;調節集電極-發射極電流至規定值,這時相對柵極脈沖穩定部分的集電極-發射極電壓即為集電極-發射極飽和電壓值。

　　（5）開通時間ton測試:由電壓源對被測器件施加規定幅值、脈寬及上升率的柵極電壓;調節集電極電流至規定幅值,開通時間是指開通延遲時間與集電極電流上升時間之和。

　　（6）關斷時間toff測試:關斷時間測試包含阻性負載和感性負載的測試。在相應的阻性負載或感性負載條件下,對被測器件施加規定幅值和脈寬的柵極電壓;調節集電極電流至規定值,然后施加規定幅值、脈寬及下降率的反向柵極電壓,關斷時間是指關斷延遲時間與電流下降時間之和。

　　（7）恢復時間測試:用于測量IGBT上反向續流二極管的恢復時間。首先在二極管上施加規定幅值的電流,經過一定時間后施加一個反向電流使其關斷，同時施加規定幅值的反向電壓。

        鑒于使用者選型來說，動態參數，靜態參數都要考慮到。一般在失效分析或者品保IQC部門，主要分析靜態參數來確定產品是否為。

         即IGBT 的靜態參數:ICES,IGESF,IGESR,BVCES,VGETH,GFE
  VCESAT,ICON,RDSON,VGEON,VF。

        從目前市場上IGBT的主流測試儀器看主要分為歐系和美系。歐系產品目前價格一般較貴，所以 我們在這里為大家推薦一款涵蓋IGBT幾乎所有靜態參數的測試儀：ST5300HX。  從成本上，可以為您的企業節省很多。

ST5300HX是一款很具有代表性的IGBT測試儀，測試范圍廣；
ST5300HX是的IGBT測試儀器，提供2000V高壓，1200A大電流的測試解決方案；

典型客戶：MICROSEMI,IXY，東芝，艾默生，ABB等公司

解決方案：

技術參數及可實現目標

主極電壓：1000V                  通過內部設置可擴展到：2000V

主極電流:50A                        加選件可擴展到：100A ，500A，1000A，1200A

控制極電壓:20V                     加大電流臺選件可擴展到：80V

控制極電流:10A                     加大電流臺選件可擴展到：40A

電壓分辨率:1mV

RDSON 分辨率： 0.1 mOHM

電流分辨率:100pA                 加選件：1pA

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