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深圳瑞兆來科技有限公司
封裝 | TO-252 | 晶體管類型 | 場效應晶體管 |
---|---|---|---|
批號 | 21+ 2115+ |
FET類型:N 通道
漏源電壓(Vdss):600 V
漏極電流(Id):12 A
漏源導通電阻(RDS On):280 m?
耗散功率:53 W
配置類型:Single
工作溫度范圍:-40 °C 150 °C
安裝類型:SMT
優化超結 MOSFET 兼具高能效和易用性
600V CoolMOS™ P7 超結 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后續產品。該產品繼續在設計過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電荷 (Q G),確保高效率。
特征描述
效率
• 600V P7 支持優異 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
使用方便
• 集成 ESD 二極管,從 180mN 起且高于 R DS(on)s
• 集成柵極電阻器 R G
• 堅固體二極管
• 涵蓋通孔和表面封裝的豐富產品線
• 標準級和工業級部件可供選擇
優勢
效率
• 優異 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss,實現更高效率
使用方便
• 避免 ESD 故障,在制造環境中確保易用性
• 集成 R G 降低 MOSFET 振蕩敏感度
• MOSFET 適用于 PFC 和 LLC 等硬開關拓撲和諧振開關拓撲
• 在 LLC 拓撲中體二極管通信中具有優異穩健性
• 廣泛適用于各種終端應用和輸出功率
• 可選部件適用于消費和工業應用
潛在應用
• 電視電源
• 工業 SMPS
• 服務器
• 通信
• 照明
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