詳細摘要： 英飛凌反激式拓撲產品順應當下和未來反激式拓撲產品的趨勢而開發——全新 700V CoolMOS™ P7 超結 MOSFET 系列產品具有比目前所使用...
產品型號：IPA70R600P7S所在地：深圳市更新時間：2022-06-21 在線留言PLC 工控機 嵌入式系統 人機界面 工業以太網 現場總線 變頻器 機器視覺 DCS PAC/PLMC SCADA 工業軟件 ICS信息安全 應用方案 無線通訊
深圳瑞兆來科技有限公司
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詳細摘要： 1200 V，8 A 硬開關 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，與定續流二極管聯合封裝到 TO247封裝中，結合溝槽柵和場終止概念，顯著改善...
產品型號：IKW08T120所在地：深圳市更新時間：2022-06-21 在線留言
詳細摘要： IR MOSFET系列功率MOSFET采用經驗證的硅工藝，為設計師提供了廣泛的設備組合，以支持各種應用，如直流電機、逆變器、開關電源、照明、負載開關以及電池供電...
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詳細摘要： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的...
產品型號：IKW15N120T2所在地：深圳市更新時間：2022-06-21 在線留言
詳細摘要： FET類型：N 通道漏源電壓（Vdss）：600 V漏極電流(Id)：12 A漏源導通電阻(RDS On)：280 m?耗散功率：53 W配置類型：Single...
產品型號：IPD60R280P7S所在地：深圳市更新時間：2022-06-10 在線留言
詳細摘要： -55V 單個 P 通道 IR MOSFET, 采用 D-Pak 封裝IR MOSFET系列功率MOSFET采用經驗證的硅工藝，為設計師提供了廣泛的設備組合，以...
產品型號：IRFR9024NTRPBF所在地：深圳市更新時間：2022-06-10 在線留言
詳細摘要： Infineon 英飛凌專注于迎接現代社會的三大科技挑戰： 高能效、 移動性和 安全性，為汽車和工業功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統解決方案。英飛凌的...
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詳細摘要： 30V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封裝Infineon 英飛凌專注于迎接現代社會的三大科技挑戰： 高能效、 移...
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詳細摘要： 電子管-場效應管-IRFS7440TRLPBF-infineon/英飛凌-TO-263功能概述針對分銷合作伙伴提供的廣泛的可用性進行了優化根據JEDEC標準進行...
產品型號：IRFS7440TRLPBF所在地：深圳市更新時間：2022-06-09 在線留言
詳細摘要： 60V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝
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詳細摘要： 75V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 (TO-263-7)引腳封裝，它基于*的溝槽工藝，該工藝經過優化，兼具...
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詳細摘要： 75V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝優勢優化分銷合作伙伴的廣泛可用性根據 JEDEC 標準進行產品驗證針對...
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