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深圳瑞兆來科技有限公司
封裝 | TO-247 | 晶體管類型 | 場效應晶體管 |
---|---|---|---|
批號 | 20+ |
IR MOSFET系列功率MOSFET采用經驗證的硅工藝,為設計師提供了廣泛的設備組合,以支持各種應用,如直流電機、逆變器、開關電源、照明、負載開關以及電池供電應用。該設備有多種表面貼裝和通孔封裝,具有行業標準的封裝外形,便于設計。
TO-247 M系列封裝中的200V單N溝道功率MOSFET
特征描述
寬SOA的平面單元結構
針對分銷合作伙伴提供的廣泛的可用性進行了優化
根據JEDEC標準進行產品鑒定
硅優化用于低于100kHz的切換應用
行業標準通孔電源組件
高電流額定值
優勢
增強耐用性
分發合作伙伴的廣泛可用性
行業標準資質等級
低頻應用中的高性能
標準插腳允許插入式更換
高載流能力
型號: | IRFP260MPBF |
封裝: | TO-247 |
類別: | 分立半導體產品晶體管- FET,MOSFET -單個 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET類型: | N通道 |
漏源電壓(Vdss): | 200 V |
25°C時電流-連續漏極(Id): | 50A(Tc) |
驅動電壓(Rds On): | 10V |
不同Id、Vgs時導通電阻值): | 40毫歐@ 28A,10V |
不同Id時Vgs(th): | 4V @ 250µA |
不同Vgs時柵極電荷 (Qg): | 234 nC @ 10 V |
Vgs: | ±20V |
不同Vds時輸入電容(Ciss): | 4057 pF @ 25 V |
功率耗散: | 300W(Tc) |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安裝類型: | 通孔 |
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