通過對造成缺陷的根本原因分析,可經由工藝改善和參數優化相結合的方式將這些缺陷率降到zui低。賈凡尼效應通常出現在阻焊膜和銅面之間的裂縫下。在沉銀過程中,因為裂縫的縫隙非常小,限制了沉銀液對此處的銀離子供應,但是此處的銅可以被腐蝕為銅離子,然后在裂縫外的銅表面上發生沉銀反應。因為離子轉換是沉銀反應的源動力,所以裂縫下銅面受攻擊程度與沉銀厚度直接相關。2Ag+ + 1Cu = 2 Ag + 1Cu++ （+ 是失去一個電子的金屬離子）下面任何一個原因都會形成裂縫:側蝕/顯影過度或阻焊膜與銅面結合不好;不均勻的電鍍銅層（孔口薄銅處）;阻焊膜下基材銅上有明顯的深刮痕。

　　腐蝕 是由于空氣中的硫或氧與金屬表面反應而產生的。銀與硫反應會在表面生成一層黃色的硫化銀（Ag2S）膜,若硫含量較高,硫化銀膜zui終會轉變成黑色。銀被硫污染有幾個途徑,空氣（如前所述）或其他污染源,如PWB包裝紙。銀與氧的反應則是另外一種過程,通常是氧和銀層下的銅發生反應,生成深褐色的氧化亞銅。這種缺陷通常是因為沉銀速度非常快,形成低密度的沉銀層,使得銀層低部的銅容易與空氣接觸,因此銅就會和空氣中的氧產生反應。疏松的晶體結構的晶粒間空隙較大,因而需要更厚的沉銀層才能達到抗氧化。這意味著生產中要沉積更厚的銀層從而增加了生產成本,也增加了可焊性出現問題的機率,如微空洞和焊接不良。

　　露銅通常與沉銀前的化學工序有關。這種缺陷在沉銀工藝后顯現,主要是因為前制程未*去除的殘留膜阻礙了銀層的沉積而產生的。zui常見的是由阻焊工藝帶來的殘留膜,它是在顯影液中顯影未凈所致, 也就是所謂的“殘膜”,這層殘膜阻礙了沉銀反應。機械處理過程也是產生露銅的原因之一,線路板的表面結構會影響板面與溶液接觸的均勻程度,溶液循環不足或過多同樣會形成不均勻的沉銀層。

　　離子污染線路板表面存在的離子物質會干擾線路板的電性能。這些離子主要來自沉銀液本身（殘存在沉銀層或在阻焊膜下）。不同沉銀溶液離子含量不同,離子含量越高的溶液,在同樣的水洗條件下,離子污染值越高。沉銀層的孔隙度也是影響離子污染的重要因素之一,孔隙度高的銀層容易殘存溶液中的離子,使得水洗的難度增大,zui終會導致離子污染值的相應升高。后水洗效果同樣會直接影響離子污染,水洗不充分或水質不合格都會引起離子污染超標。

　　微空洞通常直徑小于1mil,位于焊料和焊接面之間的金屬界面化合物之上的空洞被稱為微空洞,因為它實際上是焊接面的“平面空泡群”,所以極大的減小了焊接結合力。OSP、ENIG以及沉銀表面都會出現微空洞,其形成的根本原因尚未明確,但已確認了幾個影響因素。盡管沉銀層的所有微空洞都發生在厚銀（厚度超過15μm）表面,但并非所有的厚銀層都會發生微空洞。當沉銀層底部的銅表面結構非常粗糙時更容易產生微空洞。微空洞的發生似乎也與共沉積在銀層中的有機物的種類及成分有關。針對以上所述之現象,原始設備廠商（OEM）、設備生產服務商（EMS）、PWB制造廠商以及化學品供應商進行了數個模擬條件下焊接研究,但沒有一個能夠*消除微空洞。