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wafer/晶圓清洗機 高效去膠+顆粒清洗

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱蘇州芯矽電子科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號
  • 所  在  地蘇州市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2025/5/21 13:53:36
  • 訪問次數(shù)20
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  蘇州芯矽電子科技有限公司專業(yè)半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造公司,主要提供實驗室研發(fā)級到全自動量產(chǎn)級槽式清洗機,單片清洗機,高純化學(xué)品/研磨液供應(yīng)回收系統(tǒng)及工程,公司核心產(chǎn)品12寸全自動晶圓化學(xué)鍍設(shè)備,12寸全自動爐管/ Boat /石英清洗機已占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位,已經(jīng)成功取得長江存儲 ,中芯國/際,重慶華潤,上海華虹,上海積塔,上海格科,廣東粵芯,青島芯恩,廈門士蘭,南通捷捷,湖南楚微等主流8寸12寸Fab產(chǎn)線訂單,我們致力于為合作伙伴提供工藝及設(shè)備解決方案。

專業(yè)半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造公司,主要提供實驗室研發(fā)級到全自動量產(chǎn)級槽式清洗機,單片清洗機,高純化學(xué)品/研磨液供應(yīng)回收系統(tǒng)及工程
全自動晶圓清洗系統(tǒng)專為半導(dǎo)體前道制程設(shè)計,集成超聲波/兆聲波清洗、化學(xué)濕法腐蝕、離心干燥等模塊化工藝,支持12英寸大尺寸晶圓處理。設(shè)備采用多槽聯(lián)動設(shè)計,實現(xiàn)SC1標(biāo)準(zhǔn)清洗液自動配比與溫度精準(zhǔn)控制,搭配軟毛刷邊緣清潔技術(shù),顆粒去除率達(dá)99.9%。全自動化機械手配合MES接口,兼容潔凈車間OHT傳輸,單片清洗周期≤5分鐘,良率提升至99.5%。
wafer/晶圓清洗機 高效去膠+顆粒清洗 產(chǎn)品信息

全自動晶圓清洗系統(tǒng)——高精度、高效率、高兼容的半導(dǎo)體制程關(guān)鍵設(shè)備

一、產(chǎn)品概述

全自動晶圓清洗系統(tǒng)是半導(dǎo)體前道工藝(光刻、蝕刻、沉積)中的核心設(shè)備,用于去除晶圓表面的顆粒污染物、光刻膠殘留、金屬腐蝕物及氧化物,確保芯片制造的良率與穩(wěn)定性。該系統(tǒng)支持12英寸(300mm)及以下尺寸晶圓的自動化清洗,兼容制程(如EUV/ArF光刻)的潔凈度要求,適用于邏輯芯片、存儲芯片、功率器件及MEMS傳感器的量產(chǎn)線。

二、核心技術(shù)優(yōu)勢

多工藝模塊集成

超聲波+兆聲波聯(lián)合清洗:高頻聲波(40kHz超聲波+1MHz兆聲波)產(chǎn)生空化效應(yīng),剝離納米級顆粒(<10nm),避免機械損傷。

化學(xué)濕法腐蝕:支持SC1(H?SO?/H?O?)、SC2(HCl/H?O?)等標(biāo)準(zhǔn)配方,精準(zhǔn)去除金屬離子(如Fe、Cr、Cu)及有機物。

邊緣毛刷清潔:可調(diào)節(jié)軟質(zhì)PVA毛刷(正反轉(zhuǎn)設(shè)計)配合化學(xué)噴淋,針對性清除晶圓邊緣污染物。

智能化控制與自動化

多槽聯(lián)動系統(tǒng):8-12槽體模塊化設(shè)計,集成預(yù)清洗、主清洗、漂洗、干燥等工藝,支持自動換液與液位監(jiān)控。

機械手傳輸:全自動上下料,適配潔凈車間天車(OHT)對接,避免人工接觸污染。

物聯(lián)網(wǎng)(IoT)監(jiān)控:實時追蹤溫度、電導(dǎo)率、流速等參數(shù),故障預(yù)警與遠(yuǎn)程診斷,支持SECS/GEM協(xié)議對接MES系統(tǒng)。

高效干燥技術(shù)

離心旋干(Spin Dry):高速旋轉(zhuǎn)(2000-5000rpm)甩干水分,結(jié)合熱氮氣(N?)吹掃,防止水痕殘留。

Marangoni干燥:通過表面張力梯度實現(xiàn)均勻干燥,適用于敏感膜層(如低k介質(zhì))晶圓。

三、核心性能參數(shù)

兼容晶圓尺寸:6/8/12英寸(可定制4-9寸載具)

顆??刂疲?lt;10顆(≥0.1μm)@12英寸晶圓(符合SEMI Class 10標(biāo)準(zhǔn))

清洗效率:單片周期≤5分鐘(含干燥),每小時處理量≥120片(12寸)

溫度控制:±0.1℃(化學(xué)液恒溫系統(tǒng))

干燥潔凈度:無水漬、無顆粒二次污染

環(huán)保設(shè)計:廢液分類回收(酸/堿/水三路分離),化學(xué)耗量降低30%

四、應(yīng)用場景

前道制程:光刻后殘膠清洗、蝕刻后金屬污染去除、沉積前表面預(yù)處理。

封裝:TSV(硅通孔)孔洞清潔、Bumping工藝后凸點污染物控制。

特色工藝:GaN/SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的酸性清洗(如KOH溶液)。

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