掩模板清洗機是半導體制造中用于去除光掩模版（光罩）表面污染物的關鍵設備，通過化學濕法、物理清洗及干燥技術，確保掩模圖案的精度與壽命。以下是對該機器的詳細介紹：

核心功能與技術特點

復合清洗模式

化學濕法清洗：基于RCA標準流程、，配合定制化化學配方，去除光刻膠殘留、顆粒、金屬污染及氧化物。

兆聲波空化清洗：采用MHz級高頻聲波，通過空化效應剝離亞微米級顆粒（≥0.06μm），避免機械接觸損傷，適用于鉻版、石英版及帶保護膜的掩模版。

物理刷洗增強：可選配PVA軟毛刷或滾刷組件，針對無圖案區域或頑固污漬（如CMP磨料殘留）進行低速刷洗，接觸壓力可調以防止劃傷。

高精度控制與均勻性

溫度與流體控制：PLC系統精確調節清洗液溫度（±0.1℃）、流速及噴淋角度，確保化學反應均勻性；兆聲波能量分布優化，避免局部過蝕或清洗不足。

化學試劑滴膠系統：程序化控制化學液滴注位置與用量，減少浪費并提升污染物分解效率，支持多點噴射以覆蓋復雜圖案區域。

智能化與自動化

全自動傳輸系統：機械臂或滑動模組實現“干進干出”一步工藝，避免人工干預污染，支持24小時連續運行。

在線監測與數據追溯：集成顆粒計數器（檢測≥0.06μm顆粒）、電導率傳感器及光學顯微鏡，實時記錄清洗參數并生成SPC報告，兼容MES系統對接。

環保與安全設計

廢液處理：封閉式循環系統實現化學液回收率＞90%，三級過濾（UF+RO+離子交換）降低危廢成本，部分機型支持氫化DI水（H?-DIW）納米級清洗。

安全防護：腔體采用電解拋光不銹鋼或PFA材質，配備氮氣保護、HEPA過濾單元（0.1μm截留率）及泄漏檢測裝置，防止二次污染與化學危害。

應用場景與優勢

核心用途

光刻前處理：清除掩模版表面顆粒、光刻膠殘留及氧化層，提升圖案轉移精度（如EUV光刻掩模清潔）。

多次曝光后維護：去除沉積物（如CVD腔室硅聚合物、蝕刻產物），延長掩模版使用壽命45。

封裝清潔：處理扇出型封裝（Fan-out）臨時鍵合劑殘留、TSV硅通孔污染物，適配3D NAND需求。

技術優勢

無損清洗：非接觸式傳輸與兆聲波技術避免機械損傷，表面粗糙度Ra＜0.5nm，滿足5nm以下制程要求。

高效去污：顆粒去除率≥99%，金屬污染控制至＜0.01ppb，支持12英寸掩模版及異形基片（如Ge、GaAs晶圓）。

靈活兼容性：模塊化設計支持單片/批式清洗，可處理帶膜/無膜掩模版，適用于圖形版、空白版及接觸式掩模。

掩模板清洗機通過化學濕法、物理空化及智能化控制，實現原子級潔凈度與低損傷清洗，是保障半導體制程良率的核心設備。其技術趨勢包括AI驅動的參數優化、無氟環保工藝及自動化聯機技術，未來將持續提升清洗效率與可持續性。