半導(dǎo)體預(yù)清洗機(jī)是晶圓制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，專為去除硅片表面微粒污染、有機(jī)物殘留、氧化層及金屬雜質(zhì)而設(shè)計。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

核心功能與技術(shù)特點

復(fù)合式清洗模式

兆聲波空化技術(shù)（SAP）：采用高頻（>1MHz）聲波場，精準(zhǔn)剝離<10nm顆粒，避免機(jī)械損傷，適用于敏感結(jié)構(gòu)（如FinFET器件）。

等離子體預(yù)處理：通過O?/Ar等離子體轟擊，高效分解光刻膠殘留及有機(jī)污染物，同時活化表面以提升后續(xù)清洗液浸潤效果。

化學(xué)濕法定制：支持SC-1（H?SO?/H?O?）、SC-2（NH?OH/H?O?）、DHF（稀釋氫氟酸）等配方切換，兼容不同材質(zhì)（Si、SiC、GaAs）的腐蝕與去氧化需求。

高精度控制與均勻性

動態(tài)液膜分布技術(shù)：噴淋臂三維運動軌跡結(jié)合渦旋流控算法，實現(xiàn)清洗液均勻覆蓋，消除晶圓邊緣效應(yīng)。

溫度與流速控制：支持±0.1℃恒溫調(diào)節(jié)（如SC-2工藝需70~80℃），確保化學(xué)反應(yīng)速率穩(wěn)定，避免局部過蝕。

智能化與自動化

全自動傳輸系統(tǒng)：非接觸式機(jī)械臂完成上料、清洗、干燥及下料，支持24小時連續(xù)運行，避免人工干預(yù)污染。

AI參數(shù)優(yōu)化：實時監(jiān)測電導(dǎo)率、pH值及顆粒濃度，自動調(diào)整化學(xué)液配比與沖洗時間，降低耗材浪費。

數(shù)據(jù)追溯與遠(yuǎn)程運維：每片晶圓的清洗參數(shù)（溫度、流速、時間）及潔凈度檢測數(shù)據(jù)自動存檔，支持故障預(yù)警與工藝參數(shù)遠(yuǎn)程優(yōu)化。

環(huán)保與安全設(shè)計

廢液循環(huán)處理：內(nèi)置三級過濾系統(tǒng)（UF+RO+離子交換），回收率達(dá)90%，降低危廢成本。

安全防護(hù)：腔體采用電解拋光316L不銹鋼，配備HEPA過濾單元（0.1μm截留率），防止二次污染；泄漏檢測與氮氣保護(hù)功能保障操作安全。

節(jié)能模式：待機(jī)時自動進(jìn)入低功耗狀態(tài)，化學(xué)液加熱采用PID恒溫控制，減少能源消耗。

應(yīng)用場景與優(yōu)勢

核心用途

硅片制造環(huán)節(jié)：原材料切割后去除碎屑、油污；光刻前去除自然氧化層及顆粒，提升光刻膠附著。

芯片制造環(huán)節(jié)：刻蝕后清洗聚合物殘留，擴(kuò)散/離子注入后去除氧化物，確保電性能穩(wěn)定性。

封裝：TSV硅通孔清潔、臨時鍵合劑剝離，適配3D NAND、扇出型封裝需求。

技術(shù)優(yōu)勢

高效清潔：顆粒去除率≥97%（≥0.06μm），金屬污染控制至＜0.01ppb，滿足5nm以下制程需求。

低損傷設(shè)計：兆聲波替代傳統(tǒng)刷洗，表面粗糙度Ra＜0.5nm；非接觸傳輸避免劃傷。

廣泛兼容性：模塊化設(shè)計支持單片/批式清洗，兼容2-12英寸晶圓，可擴(kuò)展至第三代半導(dǎo)體（如GaN、SiC）。

半導(dǎo)體預(yù)清洗機(jī)通過化學(xué)濕法、物理空化及智能化控制，實現(xiàn)原子級潔凈度與高效生產(chǎn)，是制程（如3nm以下節(jié)點）的設(shè)備。其核心技術(shù)如兆聲波空化、等離子體預(yù)處理及AI參數(shù)優(yōu)化，顯著提升晶圓表面質(zhì)量與良率，同時兼顧環(huán)保與經(jīng)濟(jì)性。未來趨勢包括納米級清洗技術(shù)、無氟環(huán)保工藝及AI驅(qū)動的全自動化產(chǎn)線集成，持續(xù)推動半導(dǎo)體制造向更高精度與可持續(xù)性發(fā)展。