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加速推進國產芯片自主化 工藝水平提升需穩中求進

2017-11-06 09:01:41來源:中國智能制造網 編輯:未聞花名 關鍵詞:芯片工藝制造工藝中芯閱讀量:51960

導讀:就現階段的芯片工藝技術來看,除了FinFIT技術外,芯片廠商正在紛紛加大投入,研發工藝,以求擁有更多的市場主動權。
  【中國智能制造網 技術前沿】近年來科學技術的不斷進步,使得芯片工藝水平得到逐步提高。就現階段的芯片工藝技術來看,除了FinFIT技術外,芯片廠商正在紛紛加大投入,研發工藝,以求擁有更多的市場主動權。


加速推進國產芯片自主化 工藝水平提升需穩中求進

 
  一顆高性能在區區數百平方毫米的硅片上蝕刻數十億晶體管,晶體管間的間隔只有幾十納米,需要經過幾百道不同工藝加工,而且全部都是基于精細化操作,制作上凝聚了全人類的智慧,是當今世界上先進的工藝、生產技術、機械的集中體現。
 
  1971年,Intel發布了個處理器4004,它采用10微米工藝生產,僅包含2300多個晶體管;1995年起,芯片制造工藝從0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm,發展到90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、14nm,再到目前新的10nm。
 
  從14nm到10nm,從10nm到7nm,還有所謂的5nm、3nm和2nm,芯片工藝的競爭程度不斷升級。那么,芯片界的這場“戰爭”會結束嗎?芯片工藝的未來又在哪里呢?
 
  近年來科學技術的不斷進步,使得芯片工藝水平得到逐步提高,較小的工藝制程能夠在同樣大小的硅片上容納更多數量的芯片,可以增加芯片的運算效率;也使得芯片更小。隨著芯片的制程工藝不斷發展,集成度不斷提高,電子產業得以高速發展,每年騰出0.3左右的成本空間。
 
  現階段的芯片工藝技術方面,除了FinFIT技術外,三星、英特爾等芯片廠商紛紛投入到FD-SOI(全耗盡絕緣體硅)工藝、硅光子技術、3D堆疊技術等的研究中,以求突破FinFET的制造極限,擁有更多的主動權。
 
  而中國大陸晶圓代工中芯也在不斷尋求制造工藝方面的突破。近日中芯宣布,正式任命趙海軍、梁孟松為中芯聯合執行官兼執行董事。隨著半導體產業重量級人物、原臺積電高管梁孟松的加盟,預計將使中芯沖刺28納米高介電常數金屬閘極(HKMG)工藝和14納米先進工藝的進程進一步加速。
 
  對此,業界認為,工藝研發不足是中芯乃至中國半導體的短板,本次趙海軍和梁孟松的聯袂上陣補齊了中芯的短板,“這對中芯是一個重要節點,對中國半導體產業也是一個重要事件。”
 
  “工藝對中國半導體產業而言是兵家必爭之地,也是企業乃至產業的核心競爭力。”芯謀研究創始人顧文軍認為,因為在工藝時間落后和工藝比例過低情況下,客戶極易出現轉單和流失。長此以往,不僅無法滿足海外需求,甚至都無法滿足國內客戶需求。從商業邏輯、國家戰略和企業發展三個角度考慮,中芯都必須要做工藝。
 
  不過需要注意的是,芯片真的越小越好嗎?要知道芯片尺寸的縮小也有其物理限制,正在逐漸失效,當我們將晶體管縮小到 20nm左右時,就會遇到量子物理中的問題,晶體管存在漏電現象,抵消縮小芯片尺寸獲得的效益;另外,必須采用更高精度的機器進行芯片的掩膜蝕刻,會帶來制造成本高、良品率下降等問題。
 
  由此可見,芯片的工藝制程并不是越小越好,在我們推進核心芯片自主化研制過程中,絕不能一味追求工藝和高性能,而是根據應用需求選擇國內成熟制造工藝,做到量力而行、夠用就好。
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