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SK海力士CEO:未來十年將研發10nm以下工藝DRAM和600層NAND

2021-03-26 09:28:13來源:TechWeb 關鍵詞:芯片芯片制造閱讀量:27545

導讀:除了通過收購擴大規模、獲得知識產權及研發人員,SK海力士也在致力于研發更先進的DRAM和NAND產品。
  3月25消息,據國外媒體報道,SK海力士是全球重要的存儲芯片制造商,他們在去年10月份同英特爾達成了協議,將以90億美元收購英特爾大部分的NAND閃存及存儲業務,收購之后就將超過日本的Kioxia,成為僅次于三星的全球第二大NAND閃存制造商,并會縮小與三星的差距。
 
  除了通過收購擴大規模、獲得知識產權及研發人員,SK海力士也在致力于研發更先進的DRAM和NAND產品。
 
  韓國媒體的報道顯示,在2021年IEEE(電氣電子工程師學會)國際可靠性物理研討會上發表演講時,SK海力士CEO李錫熙(Lee Seok-Hee)就表示,在未來十年,他們將致力于克服材料、結構和可靠性方面的挑戰,開發10nm以下工藝的DRAM和600堆疊層的NAND。
 
  在報道中,韓國媒體表示,研發10nm以下工藝的DRAM,要求SK海力士等半導體廠商,克服光刻技術方面的挑戰。
 
  在NAND方面,SK海力士已經研發出了176層堆疊的3D NAND。
 
  (原標題:SK海力士CEO:未來十年將研發10nm以下工藝DRAM和600層NAND)
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