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在代工市場上，可以和臺積電抗衡的，就是三星了(Intel高調殺入但還需進一步觀察)，雙方在先進工藝進展上也是互不相讓，7nm、5nm、3nm、2nm你追我趕。
在近期舉辦的三星代工論壇2021大會上，三星就披露了新的工藝進展和路線圖。
FinFET晶體管結構潛力幾乎已經被挖掘殆盡，三星的下一步是GAA環繞柵極，3nm工藝上分為兩個版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產，3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產。
對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。
2nm工藝沒有出現在公開路線圖上，但是三星代工市場策略高級副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會在2025年量產。
這是三星第一次透露2nm工藝的規劃，但三星也警告說，新工藝進度還要看客戶的規劃和部署，所以我們推測，2026年可能是見到三星2nm工藝產品上市的更合理時間。
臺積電方面的2nm工藝有望在2024年量產，領先三星一年左右。
(原標題：三星第一次公開2nm：2025年量產)
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