高通、AMD計(jì)劃引入3nm工藝：臺積電“開足馬力”加快量產(chǎn)速度

2021-12-06 13:11:21來源：快科技關(guān)鍵詞：芯片閱讀量：24340

導(dǎo)讀：近日，有媒體報道，臺積電將“開足馬力”，沖刺3nm制程芯片的量產(chǎn)速度，并已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，這或許是因?yàn)楦咄ǎ珹MD等重量級客戶都計(jì)劃引入3nm工藝。

　　近日，有媒體報道，臺積電將“開足馬力”，沖刺3nm制程芯片的量產(chǎn)速度，并已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，這或許是因?yàn)楦咄ǎ珹MD等重量級客戶都計(jì)劃引入3nm工藝。

　　據(jù)悉，高通與AMD等廠商都在考慮引入3nm制程工藝，并已經(jīng)開始尋找能夠量產(chǎn)3nm芯片的生產(chǎn)廠商，因此，同樣在攻克3nm技術(shù)的三星就成為了臺積電必須追趕的目標(biāo)。

　　此前，有消息稱三星計(jì)劃于2022年上半年實(shí)現(xiàn)3nm芯片的量產(chǎn)，如果該消息屬實(shí)，那么三星將搶先臺積電實(shí)現(xiàn)3nm芯片的量產(chǎn)，從而搶占大量客戶。

　　臺積電原本規(guī)劃在今年年內(nèi)試產(chǎn)3nm芯片，并在明年下半年正式投入量產(chǎn)，但在三星的緊追下，這一時間很可能會被提前至明年上半年。

　　需要注意的是，雖然同為3nm，但與臺積電沿用了當(dāng)前的FinFET架構(gòu)不同，三星將采用全新的GAA架構(gòu)，架構(gòu)的不同或許也會導(dǎo)致二者3nm芯片投入量產(chǎn)的時間出現(xiàn)差異。

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