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英特爾和聯華電子宣布合作開發12nm半導體制程平臺預計2027年投產

2024-01-29 11:52:33來源：TechWeb.com.cn 關鍵詞：英特爾聯華電子半導體制程平臺閱讀量：22857

導讀：據外媒報道，當地時間周四，英特爾和聯華電子宣布，他們將合作開發12nm半導體制程平臺，以滿足移動、通信基礎設施和網絡等高增長市場的需求。

　　1月26日消息，據外媒報道，當地時間周四，英特爾和聯華電子宣布，他們將合作開發12nm半導體制程平臺，以滿足移動、通信基礎設施和網絡等高增長市場的需求。

　　新的12nm節點將利用英特爾在美國的大規模制造能力和FinFET晶體管設計經驗，將在英特爾位于美國亞利桑那州的三個晶圓廠(Fabs 12、Fabs 22和Fabs 32)進行開發和制造，預計在2027年投入生產。

　　據外媒報道，英特爾位于美國亞利桑那州的三家晶圓廠已經在生產其現有的10nm和14nm節點，但這兩個節點在生產中使用了許多相同的工具，英特爾也將在新的12nm生產中使用其中的許多工具。

　　隨著英特爾在2027年開始生產新的12nm節點，這三個晶圓廠將逐步停止10nm和14nm節點的生產，從而為新節點騰出產能。

　　英特爾是為數不多的既設計又制造自己芯片的半導體公司之一，而高通和蘋果等競爭對手的芯片設計依賴于代工制造商。

　　2021年初，英特爾重振其芯片代工制造業務，并將其更名為“英特爾代工服務”(Intel Foundry Services，簡稱IFS)，目標是與臺積電和三星競爭。

　　在過去一年里，英特爾代工服務取得了重大進展，它與新客戶建立了強勁的合作勢頭，并擴大了其不斷增長的代工生態系統。IFS預計今年將繼續取得進展。

　　本周三，英特爾宣布其位于新墨西哥州的尖端封裝工廠Fab 9正式開業，該工廠采用了先進的芯片封裝技術，包括3D封裝技術 Foveros。

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