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進軍相干光傳輸市場!這家光電大廠推出高功率DFB激光芯片

2024-09-12 10:42:08來源:OFweek激光網 關鍵詞:相干光傳輸閱讀量:24314

導讀:HieFo的HCL30是一款1毫米腔長的芯片,提供裸片或安裝在專有底座上的芯片載體(COC)格式。該設備在提供150 mW典型光輸出功率的同時,能夠實現小于300 KHz的光譜線寬性能。
  近日,光通信領域的企業瀚孚光電(HieFo)正式推出了其HCL30 DFB激光芯片,專為滿足相干光傳輸的嚴苛要求而設計。
 
  這款芯片融合了高效光輸出功率的窄線寬性能,提供O波段與C波段的多個行業標準波長選擇,為數據中心、人工智能連接、通信及通用傳感等領域帶來了性能提升。
 
  HieFo聯合創始人兼首席執行官Genzao Zhang博士表示:“HCL30 DFB激光芯片是專為‘Coherent Lite’市場需求開發的;然而,基于HieFo最近在芯片設計方面的創新,這款激光芯片的性能將廣泛應用于數據中心、人工智能連接、通信以及通用傳感等領域。”
 
  HieFo的HCL30是一款1毫米腔長的芯片,提供裸片或安裝在專有底座上的芯片載體(COC)格式。該設備在提供150 mW典型光輸出功率的同時,能夠實現小于300 KHz的光譜線寬性能。
 
  HCL30是今天基于硅光集成設計的高度集成光學平臺中理想的集成解決方案。新興的CPO(共封裝光學)和LPO(分布式光學)技術也可以利用這款新發布的激光芯片的獨特性能。
 
  HCL30是HieFo在最近的InP芯片設計架構創新中推出的首款新型DFB激光產品。未來還將推出其他產品變種,以滿足特定的光學設計需求,例如超高光輸出功率的高效設計或極窄線寬性能。
 
  推出下一代高功率增益芯片HGC20
 
  此前不久,HieFo還推出了用于集成可調諧激光器組件(xITLA)的下一代高功率增益芯片HGC20。
 
  芯片設計解決了市場對更高光輸出功率和更低電能消耗的關鍵需求。HieFo的HGC20 C+波段增益芯片作為下一代集成可調諧激光器(xITLA)的基礎構件,設立了新的性能標桿。
 
  Genzao Zhang博士表示:“HGC20增益芯片的推出,是HieFo未來幾個月和幾年中將為光通信市場帶來的創新的一個例子。”
 
  他補充稱:“HieFo在芯片基礎設計上進行了顯著的增強改進,這將成為InP基芯片廣泛應用的基礎,推動下一代數據中心、通信和AI連接市場的光互連。”
 
  HGC20是一款1毫米腔長芯片,安裝在專有底座上,光輸出功率可接近22dBm(取決于驅動電流)。對于需要較低模塊整體功耗的應用,HGC20的高效設計使其墻插效率(WPE)相較于市面上常見的增益芯片提升了多達40%。
 
  HieFo的增益芯片技術已成為可調諧激光器市場的基礎構件超過15年。HGC20在頻率精確性、窄線寬和低噪聲等性能參數上繼續保持行業地位。
 
  收購光電器件廠商EMCORE資產
 
  HieFo公司總部位于美國加州,近期該公司通過管理層收購,繼承了全球最大的航空航天和國防工業慣性導航解決方案提供商EMCORE在光電子器件領域超過40年的創新遺產。
 
  HieFo現專注于開發和商業化用于光通信行業的高效光子器件,并將繼續追求最具創新性和顛覆性的解決方案,以服務于數據通信、通信、人工智能連接和通用傳感行業。
 
  據悉,今年4月30日,HieFo向EMCORE購買了后者的芯片業務和磷化銦(InP)晶圓制造業務,總購買價格為292萬美元。
 
  此次包括轉讓與EMCORE非核心已停產芯片業務線相關的幾乎所有資產,包括其在加利福尼亞州阿爾罕布拉市的InP晶圓制造業務中使用的資產,包括但不限于設備、合同、知識產權和庫存。
 
  HieFo最初將轉租其阿爾罕布拉基地的一棟完整的建筑和另一棟建筑的一部分,最終將轉租兩座完整的建筑,并從2024年7月1日開始按比例支付這些建筑的租金。
 
  HieFo還成功聘請了EMCORE已停產芯片業務的幾乎所有關鍵科學家、工程師和運營人員,并將繼續在EMCORE Alhambra園區開展業務。
 
  銦磷化物芯片工廠恢復生產
 
  HieFo近期宣布,其位于加利福尼亞州阿罕布拉的銦磷化物(InP)晶圓制造工廠已于2024年8月23日成功重啟生產,此舉緊隨其從EMCORE公司管理層收購晶圓制造及芯片相關業務資產之后。該收購于2024年5月初順利完成,HieFo隨即接手運營。
 
  通過此次交易,HieFo不僅吸納了EMCORE原有的關鍵科學家、工程師及運營精英團隊,還繼承了超過四十年的InP芯片設計與制造領域的全球領導地位,以及豐富的先進光電子器件知識產權。
 
  值得注意的是,EMCORE曾計劃退出InP芯片業務,導致晶圓制造業務一度暫停。但HieFo憑借經驗豐富的核心團隊及雄厚的資金實力,迅速恢復了阿罕布拉園區的生產活動。
 
  過去三個月里,HieFo團隊全力以赴,重啟了閑置設備,恢復了MOCVD反應器的外延晶圓生長與再生能力,重啟了前端微制造工藝,并在后端構建了完善的器件測試、芯片準備及分離流程。
 
  目前,HieFo生產的InP基器件(包括激光器、增益芯片、SOA、PIN/APD探測器等)已通過嚴格的可靠性驗證測試,其性能、質量與可靠性均達到甚至超越了既定標準。
 
  尤為值得一提的是,HieFo已準備好一款新設計的芯片投入量產,該芯片被設計為支持高達1.6Tbps的單載波波長收發器,展現了其技術創新的實力。多家領先的光模塊制造商已向HieFo拋出橄欖枝,預訂其高效光器件。這一成就標志著HieFo在推動電信、數據通信及AI連接行業創新解決方案方面邁出了堅實的一步。
 
  HieFo公司首席執行官對此表示:“我們無比欣喜地宣布阿罕布拉工廠光器件生產的全面恢復,這不僅是HieFo對高性能光芯片生產連續性與卓越性承諾的生動體現,更是我們持續引領行業發展的堅定信心。”
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