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2024年以來，我國半導體產業整體向好，尤其是第三代半導體技術，備受市場關注！
什么是第三代半導體技術？
第三代半導體技術基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料，代表了新一代半導體技術的發展方向。該技術主要應用于新能源汽車、智能電網、5G通訊、軌道交通等領域。
近日，“2024年度中國第三代半導體技術十大進展”(簡稱“十大進展”)在第十屆國際第三代半導體論壇(IFWS)與第二十一屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2024)開幕式上重磅揭曉。
從十大進展中可以看出，國產第三代半導體正在全球范圍內掀起擴產浪潮！在實現半導體技術突破的同時，還顯著提升芯片出口量。
據相關數據顯示，2024年上半年，我國芯片累計產量達到2071.1億顆，同比增長28.9%。此外，我國芯片出口金額高達5427億元，較去年同期增長25.6%。
12月5日，由世界集成電路協會主辦的“2024-2025全球半導體市場峰會”在上海成功召開。峰會上，世界集成電路協會表示，2024年全球半導體市場規模預計將達到6202億美元，同比增長17%。與此同時，還表示，全球半導體市場觸底反彈，即將進入“硅周期”上行階段！
“硅周期”是指半導體產業的繁榮與蕭條相互交替的現象，一般每四到五年為一個周期。這是否也預示著，我國第三代半導體產業的“春天”即將來臨？
12月10日消息，國家知識產權局信息顯示，江蘇第三代半導體研究院有限公司申請一項名為“發光層結構、復合插入層結構及其制備方法和應用”的專利。據悉，該專利將降低外延片中發光層的應力，增強發光層內的輻射復合效率，提高 LED 外延片的亮度。
12月5日消息，國家知識產權局信息顯示，南京第三代半導體技術創新中心有限公司申請一項名為“分柵結構碳化硅 MOSFET 及其制造方法”的專利。根據專利摘要顯示，該發明公開了一種分柵結構碳化硅MOSFET及其制造方法。
12月2日消息，國家知識產權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基激光器和相關設備”的專利。根據專利摘要的顯示，該專利中提到的氮化鎵基激光器還加入了電勢平衡層，這一創新性結構使得激光器的耗盡區能夠與有源區精確重疊。
11月27日，位于新埭鎮高端裝備智造產業園的晶馳機電半導體材料裝備研發生產項目正式投產。據悉，該項目將推進8英寸大尺寸碳化硅外延設備與碳化硅長晶設備、4-6英寸大尺寸金剛石長晶設備、氮化鋁長晶設備等三大類產品生產。一旦達產，項目預計能夠實現年產120臺半導體長晶和外延專用設備的生產能力，進而實現年產值1.4億元的目標。
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在第三代半導體產業發展，這些都將進一步實現產業鏈關鍵環節的自主可控實力！
近年來，我國高度重視第三代半導體技術發展，并在技術研發、產業創新方面出臺了一系列支持政策。
2024年1月，工業和信息化部等七部門聯合印發的關于推動未來產業創新發展的實施意見提出，前瞻部署新賽道。在未來材料方面，提出：推動有色金屬、化工、無機非金屬等先進基礎材料升級，發展高性能碳纖維、先進半導體等關鍵戰略材料，加快超導材料等前沿新材料創新應用。
相信隨著第三代半導體技術的逐漸成熟，我國自主可控實力將逐漸提升，該技術在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領域的應用需求將日益增長。
浙公網安備 33010602000006號
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