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普賽斯儀表推出的汽車電流傳感器測試設備集多種測量和分析功能一體，可精準測量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態與動態參數，單臺大電流源...

在傳感器研究的早期階段，利用I-V特性分析技術，可以簡化用于氣體檢測系統和分析儀器的傳感器合格驗證。無論對于新材料、新技術研發還是傳感器的生產測試，將I-V特性...

靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：...

普賽斯大功率igbt測試設備igbt測試儀器,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納...

普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜...

武漢普賽斯儀表推出的高電壓大電流igbt靜態參數測試系統內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，Z大支持30V@...

武漢普賽斯是國內醉早生產源表的廠家，產品系列豐富：產品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產已經過了市場的考驗、市面有近500臺源表在使用，SXXB系列高精度數字源表，相...

普賽斯二極管反向漏電流測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、n安級電流測量能...

led反向漏電流測試設備認準武漢生產廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高...

武漢普賽斯二極管反向擊穿電壓測試設備集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等...

針對千瓦級大功率半導體激光器，普賽斯推出國產化極優性價比大功率激光器老化測試系統解決方案.設備可擴展至4層結構，每層設計若干路，每路支持1-16只激光器芯片的串...

GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態參數測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數測試）、功率特性（Load-Pull測試）寬禁帶器件測試高電流大電壓電...

普賽斯IGBT功率器件靜態參數測試系統,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電...

針對千瓦級大功率半導體激光器，普賽斯推出國產化極優性價比大功率激光器老化測試系統解決方案.設備可擴展至4層結構，每層設計若干路，每路支持1-16只激光器芯片的串...

武漢普賽斯第三代半導體功率器件靜態測試設備，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代...

普賽斯IGBT功率器件靜態參數測試系統,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電...

普賽斯高電壓+大電流功率半導體測試平臺集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電流...

武漢普賽斯針對千瓦級大功率半導體激光器芯片需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發熱嚴重等問題，創新開發推出一套通用性好、大功率、循環水冷的老化測試系統。產品具有...

普賽斯功率器件靜態測試設備集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參...

普賽斯PMST功率半導體器件igbt測試系統，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三...