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整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶
由于IGBT模塊MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT網(wǎng)格通過一層氧化膜和發(fā)射器實(shí)現(xiàn)電氣隔離。由于氧化膜非常薄,其擊穿電壓一般20~30v.因此引起的靜態(tài)電網(wǎng)故障的常見原因之一IGBT的失敗。因此使用應(yīng)注意以下幾
太陽能逆變器的設(shè)計(jì)中，常用的IGBT分別為平面型IGBT和溝道型IGBT。在平面型IGBT中，多晶硅柵極是呈“平面”分布或者相對(duì)于p+體區(qū)是水平分布的。在溝道型IGBT中，多晶硅柵極是以“溝道方式向下
既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)。基于技術(shù)和功能上的優(yōu)勢(shì)，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集
北京瑞達(dá)利電子科技有限公司成立于一九九四年十月,是一家集技、工、貿(mào)為一體的高技術(shù)企業(yè),座落于北京上地信息產(chǎn)業(yè)基地.主要經(jīng)營(yíng)西碼可控硅,三社可控硅,西門康可控硅,西門康IGBT,無感阻容吸收模塊等電子產(chǎn)品,公司組成形式采用股份合作制,責(zé)、權(quán)、利充分統(tǒng)一,因此具有效率高、管理科學(xué)、經(jīng)營(yíng)靈活等優(yōu)點(diǎn). 公司主要技術(shù)人員全部擁有高級(jí)職稱,具有幾十年的電力電子器件生產(chǎn)和使用經(jīng)驗(yàn).主要管理人員是功率半導(dǎo)體...
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