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三星電子李在镕副會(huì)長(zhǎng)于10月13日緊急訪問(wèn)了荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備廠家——ASML，并與ASML的CEO Peter Wennink先生、CTO Martin van den Brink先生進(jìn)行了會(huì)談，且媒體《Business Korea》對(duì)此進(jìn)行了報(bào)道。ASML是一家能夠提供尖端光刻設(shè)備(EUV)的廠家，半導(dǎo)體廠商能夠購(gòu)買到的EUV設(shè)備數(shù)量是近期半導(dǎo)體微縮化競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)所在。
《Business Korea》在報(bào)道中指出，“雙方就EUV設(shè)備(能否利用7納米或者7納米以下尖端工藝生產(chǎn)出尖端半導(dǎo)體，EUV設(shè)備是關(guān)鍵所在)的供給計(jì)劃交換了意見(jiàn)”、雙方還就AI芯片等未來(lái)半導(dǎo)體的新技術(shù)研發(fā)方面的合作、疫情之后的市場(chǎng)預(yù)測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)略進(jìn)行了會(huì)談”。
但是，筆者認(rèn)為李副會(huì)長(zhǎng)拜訪ASML的目的不僅僅是交換意見(jiàn)、會(huì)談。那么，真正的目的是什么呢？筆者認(rèn)為有以下兩點(diǎn)。
1. 希望ASML給三星電子提供更多的EUV設(shè)備。
2. 希望ASML協(xié)助三星電子更加順利地使用已經(jīng)購(gòu)買的EUV設(shè)備。
在采用了EUV的半導(dǎo)體微縮化方面，臺(tái)積電(TSMC)。作為存儲(chǔ)半導(dǎo)體的“”——三星電子計(jì)劃在2030年之前在邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)方面趕上臺(tái)積電。但是，從目前的狀況來(lái)看，ASML無(wú)法按照計(jì)劃為三星提供EUV設(shè)備，此外，對(duì)于三星已經(jīng)引進(jìn)的EUV量產(chǎn)設(shè)備，似乎使用的也不是很順利。結(jié)果，導(dǎo)致三星電子與臺(tái)積電的差距愈來(lái)愈大。
因此，筆者預(yù)測(cè)，覺(jué)察到危機(jī)的三星電子的李副會(huì)長(zhǎng)與ASML的高層會(huì)晤，就EUV的供給、已購(gòu)入的EUV設(shè)備的使用，向ASML尋求幫助。
在本文中，筆者首先敘述一下當(dāng)下尖端的半導(dǎo)體微縮化情況。其次，再說(shuō)明ASML的EUV設(shè)備供給不足的情況。此外，再論述三星電子對(duì)EUV設(shè)備的使用熟練程度不及臺(tái)積電。另外，筆者再論述李副會(huì)長(zhǎng)訪問(wèn)ASML是否有效。后，筆者指出，在EUV方面，三星電子的優(yōu)勢(shì)不及臺(tái)積電，即使李副會(huì)長(zhǎng)訪問(wèn)ASML,也很難挽回現(xiàn)狀。
一、尖端邏輯半導(dǎo)體的現(xiàn)狀
臺(tái)積電是微縮化加工技術(shù)進(jìn)的廠家，2019年量產(chǎn)了7nm+(將EUV技術(shù)應(yīng)用于孔中)，且在2020年已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)將EUV應(yīng)用于排線層的5納米。此外，已經(jīng)完成3納米的研發(fā)，計(jì)劃在2021年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。同時(shí)，臺(tái)積電計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)2納米的量產(chǎn)，如今正在順利地為之選擇設(shè)備、材料。如此可以看出，疫情不僅沒(méi)有對(duì)臺(tái)積電的微縮化造成影響，反而促進(jìn)了臺(tái)積電的研發(fā)。
相比之下，三星電子的情況如何呢？三星電子在2019年7月2日公布說(shuō)新款Galaxy Note上的處理器——Exynos 9825是用7納米(采用EUV)制造的。后來(lái)，2019年下半年公布6納米、今年公布5納米，僅從數(shù)字來(lái)看，三星電子絕不亞于臺(tái)積電。
筆者這么說(shuō)的依據(jù)是三星電子的EUV技術(shù)不及臺(tái)積電成熟、良率也不及臺(tái)積電，因此很難說(shuō)三星電子的EUV批量生產(chǎn)技術(shù)很順利。其證據(jù)是三星沒(méi)有成功獲得NVIDIA的7納米業(yè)務(wù)(其圖像處理GPU席卷)。
綜上所述，我們可以得知三星電子和臺(tái)積電的技術(shù)差異，而技術(shù)差異產(chǎn)生的原因是什么呢？
二、臺(tái)積電做了什么籌備來(lái)實(shí)現(xiàn)EUV的量產(chǎn)呢？
要熟練使用新設(shè)備，需要花費(fèi)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。尤其是使用尖端的設(shè)備——EUV光刻機(jī)設(shè)備進(jìn)行量產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品，直到避免Bug的出現(xiàn)，需要花費(fèi)的時(shí)間極其漫長(zhǎng)。
比方說(shuō)，筆者記得，在九十年代初從事半導(dǎo)體技術(shù)員的時(shí)候，從水銀燈的i線曝光設(shè)備切換到KrF 量體(Excited Dimer)激光光源時(shí)，花費(fèi)了5年~6年的時(shí)間。也就是說(shuō)要熟練使用新設(shè)備，這些時(shí)間是必須的。
此外，歷經(jīng)KrF、ArF干蝕、ArF液浸，2019年迎來(lái)了EUV。要熟練使用EUV設(shè)備，臺(tái)積電到底做了什么準(zhǔn)備呢？臺(tái)積電應(yīng)該沒(méi)有5年-6年的時(shí)間去為EUV的量產(chǎn)做準(zhǔn)備，那么，臺(tái)積電到底做了什么？
匯合多方信息，臺(tái)積電在2018年，在7~8臺(tái)EUV設(shè)備上每月投入了約6萬(wàn)~8萬(wàn)顆晶圓，邊處理Bug問(wèn)題、邊進(jìn)行量產(chǎn)前的準(zhǔn)備。假設(shè)每月大投入量為8萬(wàn)個(gè)，臺(tái)積電每年在EUV設(shè)備上投入了約100萬(wàn)顆晶圓，且全部報(bào)廢了。基于以上這些巨量的準(zhǔn)備工作，終于在2019年量產(chǎn)了7nm+工藝(僅在孔部位實(shí)施EUV)，因此成功地將尖端工藝技術(shù)用在了華為的手機(jī)上。
三、三星電子的EUV情況
要量產(chǎn)使用EUV設(shè)備，需要花費(fèi)大批量的時(shí)間和晶圓，三星電子的情況如何呢？2018年三星電子旗下華城半導(dǎo)體工廠(三星的Foundry據(jù)點(diǎn))引進(jìn)了八臺(tái)EUV設(shè)備。
但是，從Foundry的規(guī)模來(lái)看，用12英寸晶圓來(lái)?yè)Q算，相對(duì)臺(tái)積電的月產(chǎn)120萬(wàn)個(gè)(甚至更多)而言，三星電子月產(chǎn)僅有30萬(wàn)個(gè)(雖然筆者不了解準(zhǔn)確數(shù)字)。此外，按照這種規(guī)模來(lái)計(jì)算，如果突然要量產(chǎn)使用EUV設(shè)備，很有可能導(dǎo)致邏輯半導(dǎo)體全軍覆滅。
此外，多位相關(guān)人士表示，三星電子為了量產(chǎn)使用EUV設(shè)備，已經(jīng)挪用了多個(gè)DRAM的量產(chǎn)工廠。三星電子擁有月產(chǎn)能約為50萬(wàn)個(gè)的大型DRAM工廠。其中，將月產(chǎn)3000個(gè)~1萬(wàn)個(gè)(大)的工廠暫時(shí)用來(lái)EUV的“量產(chǎn)練習(xí)”。
有多家媒體報(bào)道指出，三星電子已經(jīng)將EUV應(yīng)用于尖端的DRAM生產(chǎn)，三星電子本身也在2020年5月20日的新聞中公布說(shuō)，“用EUV生產(chǎn)的第四代10納米級(jí)別的DRAM的出貨數(shù)量達(dá)到了100萬(wàn)個(gè)”。
但是，我們不能完全相信！如今，一個(gè)12英寸晶圓可以同時(shí)生產(chǎn)出約1500個(gè)DRAM。因此，晶圓數(shù)量為：100萬(wàn)個(gè)DRAM/1500=667個(gè)，假設(shè)良率為80%，晶圓數(shù)量為：100萬(wàn)個(gè)DRAM/(1500*80%)=833個(gè)。也就是說(shuō)，100萬(wàn)個(gè)DRAM是在月產(chǎn)為50萬(wàn)的大型DRAM產(chǎn)線上、以不足1000個(gè)的規(guī)模生產(chǎn)出來(lái)的。因此，三星電子提出的“已經(jīng)生產(chǎn)了采用EUV技術(shù)的DRAM”雖然沒(méi)有錯(cuò)，但從業(yè)界常識(shí)來(lái)看，很難得出“將EUV應(yīng)用在了DRAM的量產(chǎn)上”這一結(jié)論。
這種情況，筆者認(rèn)為“三星電子希望將EUV應(yīng)用于邏輯半導(dǎo)體，但無(wú)法確保實(shí)驗(yàn)場(chǎng)所，于是暫時(shí)借用了大型的DRAM的產(chǎn)線，很偶然做出了100萬(wàn)個(gè)DRAM”。與臺(tái)積電相比，差距還很遠(yuǎn)。
四、EUV設(shè)備數(shù)量差距持續(xù)拉大
如上所述，在使用EUV的熟練程度上，三星電子與臺(tái)積電有很大的差距。然而，三星電子卻提出了要在2030年之前在Foundry方面趕上臺(tái)積電的目標(biāo)，且在為之努力。因此，三星在存儲(chǔ)半導(dǎo)體的生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)——平澤建設(shè)了EUV專用廠房(不是在Foundry的據(jù)點(diǎn)——華成)，據(jù)說(shuō)三星電子的目標(biāo)是在2025年之前引進(jìn)約100臺(tái)EUV設(shè)備。
然而，三星電子的這一計(jì)劃卻“觸礁” 了。理由是ASML的EUV設(shè)備產(chǎn)能完全趕不上半導(dǎo)體廠家的訂單數(shù)量。
的EUV設(shè)備生產(chǎn)商——ASML在2015年出貨了6臺(tái)、2017年10臺(tái)，2018年18臺(tái)，2019年26臺(tái)，預(yù)計(jì)2020年出貨36臺(tái)。然而，Open PO數(shù)量在不斷增長(zhǎng)，在2020年的第二季度已經(jīng)達(dá)到了56臺(tái)。
筆者認(rèn)為，在ASML 2020年出貨的36臺(tái)設(shè)備中大部分都是出給臺(tái)積電的。如果三星電子也購(gòu)買了EUV設(shè)備，多也就是1~2臺(tái)(如下圖4)。可以推測(cè)，在2020年年末各家廠家持有的EUV設(shè)備數(shù)量如下，臺(tái)積電為61臺(tái)，三星電子多為10臺(tái)左右。
后續(xù)臺(tái)積電每年會(huì)引進(jìn)約20-30臺(tái)EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)在2025年末會(huì)擁有約185臺(tái)EUV設(shè)備(甚至更多)(注)，另一方面，三星電子的目標(biāo)是在2025年末擁有約100臺(tái)EUV設(shè)備，從ASML的生產(chǎn)產(chǎn)能來(lái)看，相當(dāng)困難。
(注):本稿發(fā)行后，筆者又進(jìn)行了調(diào)查發(fā)現(xiàn)，2025年年末時(shí)間點(diǎn)，臺(tái)積電所持有的EUV光刻機(jī)數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于185臺(tái)。
五、未來(lái)的展望
如上所述，三星電子無(wú)法熟練操作使用EUV設(shè)備、且照此發(fā)展下去，很難確保其引進(jìn)的設(shè)備數(shù)量。如果三星電子維持現(xiàn)狀，那么與臺(tái)積電的差距將會(huì)越來(lái)越大。為了打破這一危機(jī)情況，如文章開(kāi)頭的《Business Korea》所述，三星電子的真正Top——李副會(huì)長(zhǎng)與ASML的CEO&CTO進(jìn)行了直接會(huì)談。其會(huì)談內(nèi)容應(yīng)該是“希望給三星電子提供更多的EUV設(shè)備”、“請(qǐng)協(xié)助三星電子熟練使用已經(jīng)引進(jìn)的EUV量產(chǎn)設(shè)備”。
但是，對(duì)于ASML而言，其重要客戶是臺(tái)積電。在2018年一整年，臺(tái)積電花費(fèi)一年的時(shí)間、投入100萬(wàn)個(gè)晶圓，不斷試錯(cuò)，并反饋給ASML，并進(jìn)行改善、改良，才使7nm+、5nm得以量產(chǎn)。未來(lái)還要量產(chǎn)3納米、2納米。蘋(píng)果、AMD、高通、NVIDIA(未來(lái)也許還有英特爾)都在依賴著臺(tái)積電的尖端工藝。ASML的EUV設(shè)備肯定適用于尖端工藝、且會(huì)繼續(xù)進(jìn)步和發(fā)展。
雖然三星電子的高層突然訪問(wèn)ASML，ASML也不會(huì)忽視臺(tái)積電而“親近”三星電子。但是，這世界在何時(shí)、發(fā)生何事，也都不好預(yù)測(cè)。未來(lái)我們將繼續(xù)關(guān)注臺(tái)積電、三星電子、ASML的動(dòng)向。
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