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這兩天IBM首發2nm工藝芯片的消息刷屏了，在當前的半導體環境下，這件事意義確實重大，因為最近幾年領導先進工藝的是臺積電，IBM首發2nm工藝給美國公司贏回了面子。
IBM 2nm工藝的基本情況昨天都報道過了，使用了GAA環繞柵極晶體管技術，密度可達3.33億晶體管/mm2，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預估臺積電3nm工藝的2.9晶體管/mm2要高，指甲蓋大小的芯片就有500億晶體管。
不過仔細算算的話，IBM 2nm工藝的晶體管密度優勢沒有多大，最終比臺積電3nm工藝領先多少還不好說，畢竟后者也有2nm GAA工藝沒發。
性能方面，IBM表示他們的2nm工藝在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。
還有一些細節，那就是IBM的2nm工藝的納米片為3層堆棧，高度75nm，寬度40nm，柵極長12nm，納米片高度5nm——里面沒有一個參數是2nm的，因為2nm的命名還是沿用了傳統2D晶體管的標準。
在臺積電的2nm工藝還在研發階段沒有公布技術細節的情況下，IBM這次在美國的實驗室率先推出了2nm技術是很有象征意義的，美國現在也在努力奪回半導體工藝領先地位，IBM的2nm工藝給了信心。
不過IBM量產2nm工藝的難度也不小，因為現在這個技術還是實驗室生產的，IBM沒有大規模生產的條件了，這次2nm工藝還有三星、Intel的參與，后面兩家有可能吸納2nm工藝技術(至少是部分)。
根據IBM的說法，2nm工藝預計在2024年量產，這個時間點正好卡在臺積電2nm工藝量產的范圍內。
(原標題：搶先臺積電 IBM首發2nm工藝芯片：最快2024年量產)
浙公網安備 33010602000006號
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