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12月17日消息，國內首家多層外延工藝高壓SJ MOSFET和SJ IGBT器件供應商超致半導體完成數千萬元A輪融資，由聚卓資本、某知名產業基金共同完成本輪投資，盈杉資本擔任獨家財務顧問。
本輪融資完成后將主要用于開發全系列600V Trench FS IGBT和SJ IGBT、開發第3代多層外延超結MOS(pitch：7um)等產品。
上海超致半導體科技有限公司成立于2015年，是一家專注于高端功率器件的半導體產品公司。目前超致半導體是國內首家多層外延工藝的超結MOS供應商(和英飛凌/ST相同工藝)，已經有了第一代和第二代的多層外延工藝從500V到800V全系列的超結MOS產品。超致SJ-MOSFET的第一代產品，性能和可靠性接近英飛凌C3，動態特性接近C6，能完全替代英飛凌C3或C6產品。
另外超致半導體已經開發出全世界首個超結IGBT，超結IGBT (SJ-IGBT)是采用超結(Superjunction)結構，即在傳統IGBT器件結構基礎上，在外延層增加重復排列的PN柱的新型功率半導體器件。
超致半導體已經形成工業、準工業客戶和高端消費類客戶為基本市場面的格局，目前公司已經進入太陽能微逆變、鋰電電動車充電機、UPS 以及推桿電機電源和高端消費類產品(如音響電源、打印機電源、咖啡機電源)等市場，成為國內少數替代境外品牌的國產高壓超結MOS的供應商，同時也是眾多工業領域成為除英飛凌、ST以外的國內唯一供應商。
超致半導體創始人&CEO禹久贏表示：超致半導體主要定位于工業客戶和高端消費客戶群，通過自主研發SJ MOS和世界首款SJ IGBT產品來實現對英飛凌、ST等國際大廠商替代，為高端功率器件的國產化出一份力。
浙公網安備 33010602000006號
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