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1月19日，ASML宣布2022年一季度，其第二代High-NA光刻機TWINSCAN EXE：5200獲得了首個訂單，第二代High-NA光刻機被用于2NM制程芯片制造，有望在2024年實現交付。
自2017年ASML的第一臺量產的EUV光刻機正式推出以來，三星的7nm/5nm工藝，臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產都是依賴于0.55 數值孔徑的EUV光刻機來進行生產。
目前，臺積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進的3nm、2nm技術，以滿足高性能計算等先進芯片需求。而3/2nm工藝的實現則需要依賴于ASML新一代High-NA EUV光刻機EXE：5000系列。
ASML目前正在開發當中的第二代High-NA EUV光刻機是基于 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統的迭代產品，其具有 0.55 數值孔徑的鏡頭，分辨率為 8 納米，而現有的0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統的分辨率為 13 納米，使得芯片制造商能夠生產3/2nm及以下更先進制程的芯片，并且圖形曝光的成本更低、生產效率更高。
但是，0.55 NA EUV光刻系統造價相比第一代的EUV光刻機也更高。據 KeyBanc 稱，一臺0.55 NA EUV光刻系統的成本預計為3.186億美元，而目前正在出貨的EUV光刻系統則為1.534億美元。
早在2021年7月底的“英特爾加速創新：制程工藝和封裝技術線上發布會”上，英特爾已宣布將在2024年量產20A工藝(相當于臺積電2nm工藝)，并透露其將率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。
拿下首批第二代High-NA光刻機的企業正是Intel。
2021年30年老將帕特·基辛格重回Intel擔任CEO之后，他推出了IDM 2.0戰略，意圖重振Intel在半導體制造上的領先地位。美國是半導體技術的發源地，基辛格在Intel工作的30年內見證了美國及Intel最輝煌的時刻，然而現在美國公司在全球半導體生產中的份額已經下滑到了12%，先進工藝生產轉移到了亞洲地區，所以基辛格上任之后一直呼吁加大投資，讓美國重新奪回至少1/3的半導體制造份額。
這也是從戰略層面Intel要進軍2nm的原因。
在搭建整合先進制程方面Intel有著自己的考慮，英特爾期望能在晶圓制造領域超過龍頭臺積電。與此同時，英特爾還大量采用臺積電的晶圓代工服務，預期未來幾年會成為臺積電的大客戶之一。
臺積電此前已經向ASML采購High-NA研發型EUV光刻機EXE： 5000，在Intel采購TWINSCAN EXE：5200后，臺積電預計在今年會跟進下單TWINSCAN EXE：5200。
無獨有偶，2021年三星電子半導體收入大增31.6%至759億美元(約合4815億元人民幣)，超越Intel成為全球收入最高的芯片制造商。而位居第二的Intel去年半導體收入為731億美元，僅增長了0.5%，是排名前25位芯片制造商中銷售額增長最慢的一家。Intel一直把持住的服務器處理器領域，也被其競爭對手AMD瘋狂搶走份額，在這個領域，AMD市占率已從第14位飆升到第10位。
無論是在芯片制造，還是在芯片設計，Intel都有被反超落下的風險。
為此，Intel在本周五宣布將斥資200億美元推進IDM 2.0戰略，在美國俄亥俄州建廠。
三星、臺積電、Intel、AMD、NVIDIA等芯片領域的巨頭，都不約而同的在21世紀第二個十年陷入了芯片“軍備競賽”，勝者是誰？現在下定論還為時尚早，各位看官還請拭目以待。
原標題：Intel拿下首批第二代High-NA光刻機，斥資200億美元建廠
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